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GTS9926 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GTS9926은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GTS9926 자료 제공

부품번호 GTS9926 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GTS9926 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GTS9926 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006/05/08
REVISED DATE :2006/07/27B
GTS9926
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
20V
28m
6A
Description
The GTS9926 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Low drive current
Package Dimensions
REF.
A
A1
b
c
D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current3 ,[email protected]
Drain Current3 ,[email protected]
Pulsed Drain Current1,
Power Dissipation
VDS
VGS
ID @Ta=25
ID @Ta=70
IDM
PD @Ta=25
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Linear Derating Factor
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Symbol
Rthj-a
Millimeter
Min. Max.
- 1.20
0.05
0.15
0.19
0.30
0.09
0.20
2.90
3.10
REF.
E
E1
e
L
S
Ratings
20
±12
6
4.8
20
1
-55 ~ +150
0.008
Value
125
Millimeter
Min. Max.
6.20
6.60
4.30
4.50
0.65 BSC
0.45
0.75
0° 8°
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Unit
/W
GTS9926
Page: 1/4




GTS9926 pdf, 반도체, 판매, 대치품
ISSUED DATE :2006/05/08
REVISED DATE :2006/07/27B
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
Important Notice:
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of GTM.
GTM reserves the right to make changes to its products without notice.
GTM semiconductor products are not warranted to be suitable for use in life-support Applications, or systems.
GTM assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.
Head Office And Factory:
Taiwan: No. 17-1 Tatung Rd. Fu Kou Hsin-Chu Industrial Park, Hsin-Chu, Taiwan, R. O. C.
TEL : 886-3-597-7061 FAX : 886-3-597-9220, 597-0785
China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China
TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
GTS9926
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