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GTS9926E 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GTS9926E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GTS9926E 자료 제공

부품번호 GTS9926E 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GTS9926E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GTS9926E 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2005/01/07
REVISED DATE :2006/12/25B
GTS9926E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
20V
28m
4.6A
Description
The GTS9926E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Low drive current
*Surface mount package
Package Dimensions
REF.
A
A1
b
c
D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3 , VGS@10V
Continuous Drain Current3 , VGS@10V
Pulsed Drain Current1,2
Total Power Dissipation
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
PD @Ta=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Symbol
Rthj-a
Millimeter
Min. Max.
- 1.20
0.05
0.15
0.19
0.30
0.09
0.20
2.90
3.10
REF.
E
E1
e
L
S
Ratings
20
±12
4.6
3.7
20
1
0.008
-55 ~ +150
Value
125
Millimeter
Min. Max.
6.20
6.60
4.30
4.50
0.65 BSC
0.45
0.75
0° 8°
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Unit
/W
GTC9926E
Page: 1/4




GTS9926E pdf, 반도체, 판매, 대치품
ISSUED DATE :2005/01/07
REVISED DATE :2006/12/25B
Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Gate Threshold Voltage v.s. Junction
Temperature
Fig 11. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Important Notice:
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of GTM.
GTM reserves the right to make changes to its products without notice.
GTM semiconductor products are not warranted to be suitable for use in life-support Applications, or systems.
GTM assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.
Head Office And Factory:
Taiwan: No. 17-1 Tatung Rd. Fu Kou Hsin-Chu Industrial Park, Hsin-Chu, Taiwan, R. O. C.
TEL : 886-3-597-7061 FAX : 886-3-597-9220, 597-0785
China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China
TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
GTC9926E
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