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GTS9928E 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GTS9928E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GTS9928E 자료 제공

부품번호 GTS9928E 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GTS9928E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GTS9928E 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2004/10/13
REVISED DATE :2005/08/10B
GTS9928E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
20V
22m
5A
Description
The GTS9928E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Optimal DC/DC battery application
Package Dimensions
REF.
A
A1
b
c
D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
Drain Current3, [email protected]
Drain Current3, [email protected]
Pulsed Drain Current1
Power Dissipation
Linear Derating Factor
VGS
ID @Ta=25
ID @Ta=70
IDM
PD @Ta=25
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Symbol
Rthj-a
Millimeter
Min. Max.
- 1.20
0.05
0.15
0.19
0.30
0.09
0.20
2.90
3.10
REF.
E
E1
e
L
S
Ratings
20
12
5.0
3.5
25
1
0.008
-55 ~ +150
Ratings
125
Millimeter
Min. Max.
6.20
6.60
4.30
4.50
0.65 BSC
0.45
0.75
0° 8°
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Unit
/W
1/6




GTS9928E pdf, 반도체, 판매, 대치품
ISSUED DATE :2004/10/13
REVISED DATE :2005/08/10B
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