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부품번호 | GTS9928E 기능 |
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기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
제조업체 | GTM | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2004/10/13
REVISED DATE :2005/08/10B
GTS9928E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
20V
22m
5A
Description
The GTS9928E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Optimal DC/DC battery application
Package Dimensions
REF.
A
A1
b
c
D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
Pulsed Drain Current1
Power Dissipation
Linear Derating Factor
VGS
ID @Ta=25
ID @Ta=70
IDM
PD @Ta=25
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Symbol
Rthj-a
Millimeter
Min. Max.
- 1.20
0.05
0.15
0.19
0.30
0.09
0.20
2.90
3.10
REF.
E
E1
e
L
S
Ratings
20
12
5.0
3.5
25
1
0.008
-55 ~ +150
Ratings
125
Millimeter
Min. Max.
6.20
6.60
4.30
4.50
0.65 BSC
0.45
0.75
0° 8°
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Unit
/W
1/6
ISSUED DATE :2004/10/13
REVISED DATE :2005/08/10B
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구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
GTS9928E | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |
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