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PBSS5240T 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBSS5240T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PBSS5240T 자료 제공

부품번호 PBSS5240T 기능
기능 PNP low VCEsat (BISS) transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBSS5240T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBSS5240T 데이터시트, 핀배열, 회로
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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PBSS5240T
40 V, 2 A
PNP low VCEsat (BISS) transistor
Product specification
Supersedes data of 2001 Oct 31
2004 Jan 15




PBSS5240T pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
40 V, 2 A
PNP low VCEsat (BISS) transistor
Product specification
PBSS5240T
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
ICBO
IBEO
hFE
VCEsat
RCEsat
VBEsat
VBE(on)
fT
Cc
collector-base cut-off current
VCB = 30 V; IE = 0
VCB = 30 V; IE = 0; Tj = 150 °C
emitter-base cut-off current
DC current gain
VEB = 4 V; IC = 0
VCE = 2 V
IC = 100 mA
300
IC = 500 mA
IC = 1 A
IC = 2 A
260
210
100
collector-emitter saturation voltage IC = 100 mA; IB = 1 mA
IC = 500 mA; IB = 50 mA
IC = 750 mA; IB = 15 mA
equivalent on-resistance
IC = 1 A; IB = 50 mA
IC = 2 A; IB = 200 mA
IC = 500 mA; IB = 50 mA;
note 1
base-emitter saturation voltage IC = 2 A; IB = 200 mA
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
VCE = 2 V; IC = 100 mA
IC = 100 mA; VCE = 10 V;
f = 100 MHz
100
collector capacitance
VCB = 10 V; IE = Ie = 0;
f = 1 MHz
TYP.
450
350
290
180
55
70
140
140
240
160
200
23
MAX.
100
50
100
UNIT
nA
µA
nA
100
110
225
225
350
<220
mV
mV
mV
mV
mV
m
1.1
0.75
V
V
MHz
28 pF
Note
1. Device mounted on a printed-circuit board, single sided copper, tin plated, standard footprint.
2004 Jan 15
4

4페이지










PBSS5240T 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
40 V, 2 A
PNP low VCEsat (BISS) transistor
PACKAGE OUTLINE
Plastic surface mounted package; 3 leads
Product specification
PBSS5240T
SOT23
DB
E AX
3
1
e1 bp
e
2
wM B
HE v M A
A
A1
Q
detail X
Lp
c
0 1 2 mm
scale
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
UNIT
A
A1
max.
bp
c
D
mm
1.1
0.9
0.1
0.48 0.15
0.38 0.09
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
e1 HE Lp
Q
v
1.9
0.95
2.5
2.1
0.45 0.55
0.15 0.45
0.2
w
0.1
OUTLINE
VERSION
SOT23
REFERENCES
IEC
JEDEC
EIAJ
TO-236AB
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
97-02-28
99-09-13
2004 Jan 15
7

7페이지


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