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GM2308 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GM2308은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GM2308 자료 제공

부품번호 GM2308 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GM2308 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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GM2308 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006/01/20
REVISED DATE :
GM2308
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
60V
160m
3A
Description
The GM2308 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely
efficient and cost-effectiveness device.
The GM2308 is universally used for all commercial-industrial surface mount applications.
Features
*Simple Drive Requirement
*Small Package Outline
Package Dimensions
SOT-89
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
4.4 4.6
4.05 4.25
1.50 1.70
1.30 1.50
2.40 2.60
0.89 1.20
REF.
G
H
I
J
K
L
M
Millimeter
Min. Max.
3.00 REF.
1.50 REF.
0.40 0.52
1.40 1.60
0.35 0.41
5°TYP.
0.70 REF.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3, VGS@4.5V
Continuous Drain Current3, VGS@4.5V
Pulsed Drain Current1,2
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
PD @TA=25
Tj, Tstg
Ratings
60
±20
3.0
2.3
10
1.5
0.01
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Symbol
Rthj-a
Value
83.3
Unit
/W
GM2308
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GM2308 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2006/01/20
REVISED DATE :
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
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TEL : 886-3-597-7061 FAX : 886-3-597-9220, 597-0785
China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China
TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
GM2308
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