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LOOT670-JO 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 LOOT670-JO은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LOOT670-JO 자료 제공

부품번호 LOOT670-JO 기능
기능 Multi TOPLED
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


LOOT670-JO 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LOOT670-JO 데이터시트, 핀배열, 회로
Multi TOPLED®
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Besondere Merkmale
q Gehäusebauform: P-LCC-4
q Gehäusefarbe: weiß
q als optischer Indikator einsetzbar
q beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
q zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
q für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
q gegurtet (8-mm-Filmgurt)
q Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
q P-LCC-4 package
q color of package: white
q for use as optical indicator
q both chips can be controlled separately
q for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
q suitable for all SMT assembly and soldering methods
q available taped on reel (8 mm tape)
q load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96




LOOT670-JO pdf, 반도체, 판매, 대치품
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten
Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
Spektrale Bandbreite
bei 50 % Irel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.)
IF = 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.)
(max.)
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
(typ.)
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
(typ.)
IV from 90 % to 10 %
(typ.)
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LO LY LG LP
λpeak 635 610 586 565 557 nm
λdom 628 605 590 570 560 nm
λ 45 40 45 25 22 nm
2ϕ 120 120 120 120 120 deg.
VF 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 V
VF 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 V
IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
IR 10 10 10 10 10 µA
C0 12 8 10 15 15 pF
tr 300 300 300 450 450 ns
tf 150 150 150 200 200 ns
Semiconductor Group
4

4페이지










LOOT670-JO 전자부품, 판매, 대치품
Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
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7페이지


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