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부품번호 | LOT670-JM 기능 |
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기능 | TOPLED | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
TOPLED®
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Besondere Merkmale
q Gehäusebauform: P-LCC-2
q Gehäusefarbe: weiß
q als optischer Indikator einsetzbar
q zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
q für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
q gegurtet (8-mm-Filmgurt)
q Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
q P-LCC-2 package
q color of package: white
q for use as optical indicator
q for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
q suitable for all SMT assembly and soldering methods
q available taped on reel (8 mm tape)
q load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.)
(max.)
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
(typ.)
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.)
(typ.)
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LO LY LG LP
λpeak 635 610 586 565 557 nm
λdom 628 605 590 570 560 nm
∆λ 45 40 45 25 22 nm
2ϕ 120 120 120 120 120 Grad
deg.
VF 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 V
VF 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 V
IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
IR 10 10 10 10 10 µA
C0 12 8 10 15 15 pF
tr 300 300 300 450 450 ns
tf 150 150 150 200 200 ns
Semiconductor Group
4
4페이지 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
7
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