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Datasheet DFU1N60 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
| 1 | DFU1N60 | N-Channel MOSFET
DFU1N60
N-Channel MOSFET
Features
■ ■ ■ ■ ■
N-Channel MOSFET
2.Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 11.5 ohm ID = 1.0A
High ruggedness RDS(on) (Max 11.5 Ω )@VGS=10V Gate Charge (Typical 7nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested
1.Gate 3.Source
General Descript |  DnI | mosfet |
DFU Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
| 1 | DFU1N60 | N-Channel MOSFET
DFU1N60
N-Channel MOSFET
Features
■ ■ ■ ■ ■
N-Channel MOSFET
2.Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 11.5 ohm ID = 1.0A
High ruggedness RDS(on) (Max 11.5 Ω )@VGS=10V Gate Charge (Typical 7nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested
1.Gate 3.Source
General Descript DnI mosfet | | |
| 2 | DFU2N60 | N-Channel MOSFET
DFU2N60
N-Channel MOSFET
Features
High ruggedness RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1. Gate {
{ {
2. Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 5.5ohm ID = 2.1A
3. Source
General Description
This N-channel enhancement mode DnI mosfet | |
| Esta página es del resultado de búsqueda del DFU1N60. Si pulsa el resultado de búsqueda de DFU1N60 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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