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DFR1N60 데이터시트 PDF




DnI에서 제조한 전자 부품 DFR1N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DFR1N60 자료 제공

부품번호 DFR1N60 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 DnI
로고 DnI 로고


DFR1N60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DFR1N60 데이터시트, 핀배열, 회로
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DFR1N60
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
Features
High ruggedness
RDS(on) (Max 11.5 )@VGS=10V
Gate Charge (Typical 7nC)
Improved dv/dt Capability
100% Avalanche Tested
{ 2. Drain
1. Gate{
{ 3. Source
General Description
This N-channel enhancement mode field-effect power transistor
using DI semiconductor’s advanced planar stripe, DMOS technol-
ogy intended for off-line switch mode power supply.
Also, especially designed to minimize rds(on) and high rugged
avalanche characteristics. The TO-126 pkg is well suited for
charger SMPS and small power inverter application.
BVDSS = 600V
RDS(ON) = 11.5 ohm
ID = 1.1A
TO-126
1 23
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
EAR
dv/dt
PD
TSTG, TJ
TL
Parameter
Drain to Source Voltage
Continuous Drain Current(@TC = 25°C)
Continuous Drain Current(@TC = 100°C)
Drain Current Pulsed
Gate to Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation(@TC = 25 °C)
Derating Factor above 25 °C
Operating Junction Temperature & Storage Temperature
Maximum Lead Temperature for soldering purpose,
1/8 from Case for 5 seconds.
(Note 1)
(Note 2)
(Note 1)
(Note 3)
Value
600
1.1
0.65
4.0
±30
52
4.0
4.5
40
0.32
- 55 ~ 150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Min.
-
-
Value
Typ.
-
-
Max.
3.12
89
Units
°C/W
°C/W
Oct, 2004. Rev. 0.
Copyright@ D&I Semiconductor Co., Ltd., Korea. All rights reserved.
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DFR1N60 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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DFR1N60
Fig 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Junction Temperature
1.2
Fig 8. On-Resistance Variation
vs. Junction Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0 1.5
0.9
0.8
-100
Notes :
1. VGS = 0 V
2. ID = 250 µ A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
1.0
0.5
0.0
-100
Notes :
1. VGS = 10 V
2. ID = 1.2 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Fig 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
101
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100
100 µs
1 ms
10 ms
DC
1.00
0.75
0.50
10-1
Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
10-2
100
0.25
101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
0.00
103 25 50 75 100 125
TC' Case Temperature [oC]
Fig 11. Transient Thermal Response Curve
150
101
4/7
D = 0 .5
100
0.2
0.1
0.05
0.02
1 0 -1
0.01
single pulse
N otes :
1 . Z θ JC(t) = 3 .2 /W M a x .
2. D uty Factor, D =t1/t2
3 . T JM - T C = P D M * Z θ JC( t)
1 0 -2
1 0 -5
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t1, S quare W ave P ulse D uration [sec]
101

4페이지










DFR1N60 전자부품, 판매, 대치품
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DFR1N60
TO-126 Package Dimension
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
Min.
7.5
10.8
14.2
2.7
1.2
0.48
0.7
mm
Typ.
3.8
2.5
2.3
4.6
1.4
3.2
Max.
7.9
11.2
14.7
2.9
1.5
0.62
0.86
Min.
0.295
0.425
0.559
0.106
0.047
0.019
0.028
Inch
Typ.
0.150
0.098
0.091
0.181
0.055
0.126
Max.
0.311
0.441
0.579
0.114
0.059
0.024
0.034
A
E
B
F
C
1
2
3
D
G
H
I
JK
L
1. Gate
2. Drain
3. Source
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