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DBT151-600 데이터시트 PDF




DnI에서 제조한 전자 부품 DBT151-600은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DBT151-600 자료 제공

부품번호 DBT151-600 기능
기능 Standard Gate SCR
제조업체 DnI
로고 DnI 로고


DBT151-600 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DBT151-600 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
DBT151-600
Standard Gate
Silicon Controlled -
Rectifiers
Symbol
2. Anode
Features
Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V
R.M.S On-State Current ( IT(RMS)= 12 A )
Low On-State Voltage (1.5V(Typ.)@ ITM)
Non-isolated Type
1.Cathode
3.Gate
General Description
Standard gate triggering thyristor is suitable for the application
where requiring high bidirectional blocking voltage capability and
also suitable for over voltage protection ,motor control circuit in
power tool, inrush current limit circuit and heating control system.
BVDRM = 600V
IT(RMS) = 12 A
ITSM = 120A
TO-220
123
Absolute Maximum Ratings ( TJ = 25°C unless otherwise specified )
Symbol
Parameter
Condition
VDRM
IT(AV)
IT(RMS)
ITSM
I2t
Repetitive Peak Off-State Voltage
Average On-State Current
R.M.S On-State Current
Surge On-State Current
I2t for Fusing
sine wave,50 to 60Hz,gate open
half sine wave : TC =111 °C
180° Conduction Angle
1/2 Cycle, 60Hz, Sine Wave
Non-Repetitive
t = 8.3ms
di/dt Critical rate of rise of on-state current
TC = 111 °C, pulse width 1.0
PGM
Forward Peak Gate Power Dissipation
TC = 111 °C,pulse width 1.0
PG(AV)
Forward Average Gate Power Dissipation TC = 111 °C, pulse width 1.0
IFGM
VRGM
TJ
TSTG
Forward Peak Gate Current
Reverse Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
TC =111 °C, pulse width 1.0
Ratings
600
7.6
12
120
72
50
5
0.5
2
5
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
Units
V
A
A
A
A2s
A/
W
W
A
V
°C
°C
June, 2005. Rev.0
copyright @ D&I Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
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DBT151-600 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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DBT151-600
Fig 7. Typical Holding Current
10
1
0.1
-50
0 50 100
Junction Temperature[oC]
150
Fig 8. Power Dissipation
15
θ = 180o
θ = 120o
12
θ = 90o
θ = 60o
9
θ = 30o
6
3
0
0123456789
Average On-State Current [A]
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