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DTN1A60 데이터시트 PDF




DnI에서 제조한 전자 부품 DTN1A60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DTN1A60 자료 제공

부품번호 DTN1A60 기능
기능 Triacs
제조업체 DnI
로고 DnI 로고


DTN1A60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DTN1A60 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
DTN1A60/80
Triacs / Sensitive Gate
Features
Repetitive Peak Off-State Voltage :
600/800V
R.M.S On-State Current ( IT(RMS)= 1 A )
High Commutation dv/dt
Symbol
1.T1
3.T2
2.Gate
BVDRM = 600V / 800V
IT(RMS) = 1 A
ITSM = 9.1 A
TO-92
General Description
This device is suitable for low power AC switching applica-
tion, phase control application such as fan speed and tem-
perature modulation control, lighting control and static
switching relay where high sensitivity is required in all four
quadrants.
1
2
3
Absolute Maximum Ratings ( TJ = 25°C unless otherwise specified )
Symbol
Parameter
Condition
VDRM
IT(RMS)
ITSM
I2t
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S On-State Current
Surge On-State Current
I2t for Fusing
Sine wave, 50 to 60 Hz, Gate open
TC = 58 °C, Full Sine wave
One Cycle, 50Hz/60Hz, Peak,
Non-Repetitive
tp = 10ms
PGM
PG(AV)
IGM
VGM
TJ
TSTG
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
TC = 58 °C, Pulse width 1.0us
Over any 20ms period
tp = 20us, TJ=125°C
tp = 20us, TJ=125°C
Ratings
600 800
1.0
9.1/10
0.41
1.0
0.1
0.5
6.0
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
0.2
Units
V
A
A
A2s
W
W
A
V
°C
°C
g
April, 2005. Rev.0
copyright @ D&I Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
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DTN1A60 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
DTN1A60/80
Fig 7. Gate Trigger Current vs.
Junction Temperature
10
I
+
GT1
I
_
GT1
1
I
_
GT3
0.1
-50
I
+
GT3
0 50 100
Junction Temperature [oC]
150
Fig 8. Transient Thermal Impedance
103
Rθ (J-A)
102
Rθ (J-C)
101
100
10-2 10-1 100 101 102 103
Time (sec)
Fig 9. Gate Trigger Characteristics Test Circuit
10 10 10 10
A
6V
A
6V
A
6V
A
6V
V RG
V RG
V RG
V RG
Test Procedure
Test Procedure
Test Procedure
Test Procedure
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