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AO3400 데이터시트 PDF




Alpha & Omega Semiconductors에서 제조한 전자 부품 AO3400은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AO3400 자료 제공

부품번호 AO3400 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 Alpha & Omega Semiconductors
로고 Alpha & Omega Semiconductors 로고


AO3400 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AO3400 데이터시트, 핀배열, 회로
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AO3400
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
The AO3400 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. Standard Product AO3400 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3400L
is a Green Product ordering option. AO3400 and
AO3400L are electrically identical.
Features
VDS (V) = 30V
ID = 5.8 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 28m(VGS = 10V)
RDS(ON) < 33m(VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 52m(VGS = 2.5V)
TO-236
(SOT-23)
Top View
G
D
S
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain
TA=25°C
Current A
TA=70°C
Pulsed Drain Current B
ID
IDM
TA=25°C
Power Dissipation A TA=70°C
PD
Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG
Maximum
30
±12
5.8
4.9
30
1.4
1
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
t 10s
Steady-State
Steady-State
Symbol
RθJA
RθJL
Typ
65
85
43
Max
90
125
60
Units
V
V
A
W
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.




AO3400 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AO3400
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
VDS=15V
4 ID=5A
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
1400
1200
1000
800
Ciss
600
400
Coss
200
Crss
0
0 5 10 15 20 25
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
100.0
RDS(ON)
10.0 limited
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
100µs
1ms
0.1s 10ms
1.0
1s
0.1
0.1
10s
DC
1 10
VDS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
40
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
30
20
10
0
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
10 D=Ton/T
In descending order
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=90°C/W
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
PD
Single Pulse
Ton T
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
100
1000
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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