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DB306 데이터시트 PDF




Diotec Semiconductor에서 제조한 전자 부품 DB306은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DB306 자료 제공

부품번호 DB306 기능
기능 (DB300 - DB310) 3 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
제조업체 Diotec Semiconductor
로고 Diotec Semiconductor 로고


DB306 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DB306 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
18020 Hobart Blvd., Unit B
Gardena, CA 90248 U.S.A
Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958
Data Sheet No. BRDB-300-1C
3 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
MECHANICAL SPECIFICATION
PRV Ratings from 50 to 1000 Volts
Surge overload rating to 60 Amps peak
ACTUAL SIZE
DT
DB306
SERIES DB300-DB310
Reliable low cost molded epoxy construction
Ideal for printed circuit board applications
UL RECOGNIZED - FILE #E124962
RoHS COMPLIANT
_+
MECHANICAL DATA
Case: Molded Epoxy (UL Flammability Rating 94V-0)
Terminals: Round silver plated copper pins
Soldering: Per MIL-STD 202 Method 208 guaranteed
Polarity: Marked on top of case; positive lead at beveled corner
Mounting Position: Any. Thru hole provided for #6 screw (NOTE 1)
Weight: 0.13 Ounces (3.6 Grams)
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MAXIMUM RATINGS & ELECTRICAL CHARACTERISTICS
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BH
LL
LD
D1
+
D1
BL
_
BL
PARAMETER (TEST CONDITIONS)
Series Number
SYMBOL
RATINGS
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Maximum DC Blocking Voltage
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Peak Recurrent Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
Thermal Energy (Rating for Fusing) t < 8.3mSec
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It
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E#F
Peak Forward Surge Current. Single 60Hz Half-Sine Wav e
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method). Tc = 60 C
Average Forward Rectified Current
@ T1 = 602 C (Note 2)
@ T3 = 254 C (Note 3)
Junction Operating and Storage Temperature Range
Maximum Forward Voltage (Per Diode) at 1.5 Amps DC
Typical Junction Capacitance (Note 4)
Maximum Reverse Current at Rated VdCe
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C
C
Minimum Insulation Breakdown Voltage (Circuit to Case)
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Typical Thermal Resistance
Junction to Ambient (Note 3)
Junction to Case (Note 2)
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