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부품번호 | 5STP24H2800 기능 |
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기능 | Phase Control Thyristor | ||
제조업체 | ABB | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
www.DataSheet4U.com
VDSM = 2800 V
ITAVM = 2625 A
ITRMS = 4120 A
ITSM = 43000 A
VT0 = 0.85 V
rT = 0.160 mΩ
Phase Control Thyristor
5STP 24H2800
Doc. No. 5SYA1047-02 Sep. 01
• Patented free-floating silicon technology
• Low on-state and switching losses
• Designed for traction, energy and industrial applications
• Optimum power handling capability
• Interdigitated amplifying gate
Blocking
Part Number
VDRM
VRRM
VRSM1
IDRM
IRRM
dV/dtcrit
5STP 24H2800 5STP 24H2600 5STP 24H2200 Conditions
2800 V
2600 V
2200 V f = 50 Hz, tp = 10ms
3000 V
2800 V
2400 V tp = 5ms, single pulse
≤ 300 mA
≤ 300 mA
VDRM
VRRM
Tj = 125°C
1000 V/µs
Exp. to 0.67 x VDRM, Tj = 125°C
Mechanical data
FM Mounting force
nom.
min.
max.
a Acceleration
Device unclamped
Device clamped
m Weight
DS Surface creepage distance
Da Air strike distance
50 kN
45 kN
60 kN
50 m/s2
100 m/s2
0.9 kg
36 mm
15 mm
ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.
www.DataSheet4U.com
5STP 24H2800
Fig. 4 On-state power dissipation vs. mean on-
state current. Turn - on losses excluded.
Fig. 5 Max. permissible case temperature vs.
mean on-state current.
Fig. 6 Surge on-state current vs. pulse length.
Half-sine wave.
Fig. 7 Surge on-state current vs. number of
pulses. Half-sine wave, 10 ms, 50Hz.
ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1047-02 Sep. 01
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
5STP24H2800 | Phase Control Thyristor | ABB |
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