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K3757 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 K3757은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K3757 자료 제공

부품번호 K3757 기능
기능 MOSFET ( Transistor ) - 2SK3757
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


K3757 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K3757 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
2SK3757
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOSVI)
2SK3757
Switching Regulator Applications
Unit: mm
Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.9 Ω (typ.)
High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.0 S (typ.)
Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 450 V)
Enhancement model: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ)
Gate-source voltage
Drain current
DC (Note 1)
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAR
IAR
EAR
Tch
Tstg
450
450
±30
2
5
30
103
2
3
150
55~150
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1: Gate
2: Drain
3: Source
JEDEC
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10U1B
Weight: 1.7 g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Max Unit
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (ch-c)
Rth (ch-a)
4.17 °C/W
62.5 °C/W
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C during
use of the device.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (initial), L = 42.8 mH, RG = 25 Ω, IAR = 2 A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with caution.
1
2
3
1 2006-11-06




K3757 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
RDS (ON) – Tc
10
COMMON SOURCE
VGS = 10 V
PULSE TEST
8
6
1.0
ID = 2 A
4 0.5
2
0
80 40 0 40 80 120
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
160
2SK3757
IDR – VDS
10
COMMON SOURCE
Tc = 25°C
3 PULSE TEST
1
0.3
0.1
0.03
10
3
1 VGS = 0, 1 V
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
DRAINSOURCE VOLTAGE VDS (V)
1.0
CAPACITANCE – VDS
1000
Ciss
100
Coss
10
COMMON SOURCE
VGS = 0V
f = 1MHz
Tc = 25℃
Crss
1
0.1 1 10 100
DRAINSOURCE VOLTAGE VDS (V)
Vth – Tc
5 COMMON SOURCE
VDS = 10 V
ID = 1 mA
4 PULSE TEST
3
2
1
0
80 40
0
40 80 120 160
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
PD – Tc
50
40
30
20
10
0
0 40 80 120 160 200
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
DYNAMIC INPUT/OUTPUT
CHARACTERISTICS
500
400
VDS
COMMON SOURCE
ID = 2 A
Tc = 25°C
PULSE TEST
20
16
180
300 12
90
200
VDS = 360 V
8
100 VGS
4
00
0 2 4 6 8 10 12 14
TOTAL GATE CHARGE Qg (nC)
4 2006-11-06

4페이지












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