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P5NB80 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 P5NB80은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P5NB80 자료 제공

부품번호 P5NB80 기능
기능 STP5NB80
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


P5NB80 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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P5NB80 데이터시트, 핀배열, 회로
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STP5NB80
® STP5NB80FP
N - CHANNEL 800V - 1.8- 5A - TO-220/TO-220FP
PowerMESHMOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
ST P5N B80
ST P5N B80 FP
800 V
800 V
< 2.2
< 2.2
5A
5A
s TYPICAL RDS(on) = 1.8
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
s GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an
advanced family of power MOSFETs with
outstanding performances. The new patent
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220FP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
S ymb ol
Parameter
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
V DGR
VGS
ID
ID
IDM()
Ptot
Drain- gat e Voltage (RGS = 20 k)
Gate-source Voltage
Drain Current (cont inuous) at Tc = 25 o C
Drain Current (cont inuous) at Tc = 100 oC
Drain Current (pulsed)
T otal Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope
VISO Insulation Withstand Voltage (DC)
Ts tg Storage T emperature
Tj Max. Operating Junction T emperature
(*) Limited only by maximum temperature allowed
January 1999
Value
Unit
STP5NB80 STP5NB80FP
800 V
800 V
± 30
V
5 5(*) A
3.2
3.2(*)
A
20 20 A
110
0.88
40
0.32
W
W /o C
4 4 V/ns
2000
V
-65 to 150
oC
150 oC
( 1) ISD 5A, di/dt 200 A/µs, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX
1/9




P5NB80 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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STP5NB80/FP
Thermal Impedance for TO-220
Thermal Impedance for TO-220FP
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
4/9

4페이지










P5NB80 전자부품, 판매, 대치품
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DIM.
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
STP5NB80/FP
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
TO-220 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
1.27
16.4
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
inch
TYP.
0.050
0.645
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L2
Dia.
L5
L7
L6
L9
L4
P011C
7/9

7페이지


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