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BD034 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BD034
기능 TRANSISTOR
제조업체 Jiangsu Changjiang Electronics
로고 Jiangsu Changjiang Electronics 로고 


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BD034 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
BD034 TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power dissipation
PCM:
1.25 W (Tamb=25)
Collector current
ICM: -2.5 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO:
-110 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55to +150
TO-126
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE
fT
Test conditions
Ic=-100µA, IE=0
Ic=-10mA, IB=0
IE=-100µA, IC=0
VCB=-100V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
VCE=-2V, IC=-100mA
VCE=-2V, IC=-1.5A
IC=-2A, IB=-200mA
VCE=-5V, IC=-500mA
VCE=-1V, IC=-250mA, f=1MHz
MIN TYP MAX UNIT
-110 V
-80 V
-7 V
-1 µA
-1 µA
100 560
40
-0.5 V
-1 V
3 MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
R
Range
100-200
S
140-280
T
200-400
U
280-560






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