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KM23C8105D 데이터시트 PDF




Samsung Semiconductor에서 제조한 전자 부품 KM23C8105D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 KM23C8105D 자료 제공

부품번호 KM23C8105D 기능
기능 8M-Bit (1Mx8 /512Kx16) CMOS Mask ROM
제조업체 Samsung Semiconductor
로고 Samsung Semiconductor 로고


KM23C8105D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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KM23C8105D 데이터시트, 핀배열, 회로
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KM23C8105D(G)
CMOS MASK ROM
8M-Bit (1Mx8 /512Kx16) CMOS MASK ROM
FEATURES
Switchable organization
1,048,576 x 8(byte mode)
524,288 x 16(word mode)
Fast access time
Random Access : 100ns(Max.)
Page Access : 30ns(Max.)
4 Words / 8 bytes page access
Supply voltage : single +5V
Current consumption
Operating : 80mA(Max.)
Standby : 50µA(Max.)
Fully static operation
All inputs and outputs TTL compatible
Three state outputs
Package
-. KM23C8105D : 42-DIP-600
-. KM23C8105DG : 44-SOP-600
GENERAL DESCRIPTION
The KM23C8105D(G) is a fully static mask programmable ROM
fabricated using silicon gate CMOS process technology, and is
organized either as 1,048,576 x 8 bit(byte mode) or as 524,288
x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage level.(See
mode selection table)
This device includes page read mode function, page read mode
allows 4 words (or 8bytes) of data to read fast in the same
page, CE and A2 ~ A18 should not be changed.
This device operates with a 5V single power supply, and all
inputs and outputs are TTL compatible.
Because of its asynchronous operation, it requires no external
clock assuring extremely easy operation.
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and
data memory, character generator.
The KM23C8105D is packaged in a 42-DIP and the
KM23C8105DG in a 44-SOP.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
PIN CONFIGURATION
A18
.
.
.
.
.
.
.
.
A2
A0~A1
A-1
CE
OE
BHE
Pin Name
A0 - A1
A2- A18
Q0 - Q14
Q15 /A-1
BHE
CE
OE
VCC
VSS
N.C
X
BUFFERS
AND
DECODER
MEMORY CELL
MATRIX
(524,288x16/
1,048,576x8)
Y
BUFFERS
AND
DECODER
CONTROL
LOGIC
SENSE AMP.
DATA OUT
BUFFERS
...
Q0/Q8 Q7/Q15
Pin Function
Page Address Inputs
Address Inputs
Data Outputs
Output 15(Word mode)/
LSB Address(Byte mode)
Word/Byte selection
Chip Enable
Output Enable
Power ( +5V)
Ground
No Connection
A18 1
A17 2
A7 3
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
A0 10
CE 11
VSS 12
OE 13
Q0 14
Q8 15
Q1 16
Q9 17
Q2 18
Q10 19
Q3 20
Q11 21
DIP
42 N.C N.C 1
41 A8
A18 2
40 A9
A17 3
39 A10
A7 4
38 A11
A6 5
37 A12
A5 6
36 A13
A4 7
35 A14
A3 8
34 A15
A2 9
33 A16
A1 10
32 BHE A0 11
31 VSS
CE 12
30 Q15/A-1 VSS 13
29 Q7
OE 14
28 Q14
27 Q6
26 Q13
25 Q5
24 Q12
23 Q4
22 VCC
Q0 15
Q8 16
Q1 17
Q9 18
Q2 19
Q10 20
Q3 21
Q11 22
KM23C8105D
SOP
44 N.C
43 N.C
42 A8
41 A9
40 A10
39 A11
38 A12
37 A13
36 A14
35 A15
34 A16
33 BHE
32 VSS
31 Q15/A-1
30 Q7
29 Q14
28 Q6
27 Q13
26 Q5
25 Q12
24 Q4
23 VCC
KM23C8105DG




KM23C8105D pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
KM23C8105D(G)
TIMING DIAGRAM
READ
ADD
A0~A18
A-1(*1)
CE
OE
ADD1
tACE
tRC
tOE
DOUT
D0~D7
D8~D15(*2)
VALID DATA
CMOS MASK ROM
ADD2
tAA
tOH
VALID DATA
tDF(*3)
PAGE READ
CE
tDF(*3)
OE
ADD
A2~A18
ADD
A0,A1
A-1(*1)
DOUT
D0~D7
D8~D15(*2)
1 st
tAA
2 nd
tPA
3 rd
VALID DATA
VALID DATA
VALID DATA VALID DATA
NOTES :
*1. Byte Mode only. A-1 is Least Significant Bit Address.(BHE = VIL)
*2. Word Mode only.(BHE = VIH)
*3. tDF is defined as the time at which the outputs achieve the open circuit condition and is not referenced to VOH or VOL level.

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