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TPV5051 데이터시트 PDF




ASI에서 제조한 전자 부품 TPV5051은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TPV5051 자료 제공

부품번호 TPV5051 기능
기능 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
제조업체 ASI
로고 ASI 로고


TPV5051 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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TPV5051 데이터시트, 핀배열, 회로
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TPV5051
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The TPV5051 is Designed for AB
Push Pull, Common Emitter from
470 to 860 MHz Applications.
PACKAGE STYLE BMA-2
FEATURES:
Gold Metalization
Diffused Ballast Resistor
MAXIMUM RATINGS
IC 9.0 A
VCEO
30 V
VCBO
45 V
PDISS
97 W @ TC = 25 °C
TJ -65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +150 °C
θJC 1.8 °C/W
1 = BASE 2 = BASE 3 = COLLECTOR
4 = COLLECTOR 5 = EMITTER
MILLIMETER
INCHES
S
DIM MIN MAX MIN MAX
A 20.07 20.57 0.790 0.810
B 6.35 6.85 0.250 0.270
C 4.20 5.02 0.165 0.198
D 1.40 1.65 0.055 0.065
E 1.40 1.65 0.055 0.065
G 1.27 1.77 0.060 0.070
H 1.34 2.43 0.076 0.096
J 0.08 0.12 0.003 0.005
K 4.83 5.33 0.190 0.210
N 6.56 6.80 0.258 0.268
Q 3.18 3.42 0.125 0.135
U 14.03 14.52 0.552 0.572
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCEO IC = 60 mA
BVCBO IC = 20 mA
BVEBO IE = 6.0 mA
BVCER IC = 10 mA
RBE = 50
ICEO
VCE = 28 V
hFE VCE = 20 V
IC = 800 mA
Cob VCB = 28 V
f = 1.0 MHz (EACH SIDE)
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS
30 V
45 V
4.0 V
40 V
10 mA
10 ---
40 pF
PG VCE = 28 V
ηC
Pout = 50 W
Iq = 2X50 mA
f = 860 MHz
6.5
45
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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