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부품번호 | BSC042N03LSG 기능 |
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기능 | Power Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 10 페이지수
www.DataSheet4U.com
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features
• Fast switching MOSFET for SMPS
• Optimized technology for DC/DC converters
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• N-channel
• Logic level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
• Avalanche rated
• Pb-free plating; RoHS compliant
BSC042N03LS G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
30 V
4.2 mΩ
93 A
PG-TDSON-8
Type
BSC042N03LS G
Package
PG-TDSON-8
Marking
042N03LS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current3)
Avalanche current, single pulse4)
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
1) J-STD20 and JESD22
Rev. 0.99 - target datasheet
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
V GS=4.5 V, T C=25 °C
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
I D,pulse
I AS
E AS
dv /dt
V GS
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=45 K/W2)
T C=25 °C
T C=25 °C
I D=40 A, R GS=25 Ω
I D=50 A, V DS=24 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=150 °C
page 1
Value
93
59
75
48
21
372
50
50
6
±20
Unit
A
mJ
kV/µs
V
2007-03-02
www.DataSheet4U.com
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
BSC042N03LS G
60 100
50
80
40
60
30
40
20
20
10
0
0 40 80 120
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
1 µs
10 µs
102
100 µs
DC
101
1 ms
10 ms
100
0
160 0 40 80 120
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
1 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1 0.02
0.01
single pulse
160
10-1
10-1
100 101
V DS [V]
Rev. 0.99 - target datasheet
102
0.01 0
10-6
0
10-5
0
10-4
0
10-3
0
10-2
0
10-1
1
100
t p [s]
page 4
2007-03-02
4페이지 www.DataSheet4U.com
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
25 °C
100 °C
10
125 °C
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: V DD
12
10
BSC042N03LS G
15 V
6V
24 V
8
6
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0 8 16 24 32 40
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
34
V GS
32
30
28
26 V g s(th)
24
22 Q g(th)
20
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 0.99 - target datasheet
page 7
Q gs
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2007-03-02
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