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부품번호 | WT4884AM 기능 |
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기능 | Surface Mount N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | Weitron Technology | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
Surface Mount N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
P b Lead(Pb)-Free
Features:
*Super high dense cell design for low RDS(ON)
RDS(ON) <6 mΩ@VGS=10V
RDS(ON) <8.5 mΩ@VGS=4.5V
*Rugged and Reliable
*SO-8 Package
WT4884AM
DRAIN CURRENT
12 AMPERES
DRAIN SOURCE VOLTAGE
30 VOLTAGE
1
SO-8
Maximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified)
Rating
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (TJ =125 C)(1)
Pulsed Drain Current (2)
Drain-Source Diode Forward Current (1)
VDS
VGS
ID
IDM
IS
Power Dissipation (1)
Maximax Junction-to-Ambient (1)
PD
R θJA
Value
30
-+20
12
44
1.7
2.5
50
Operating Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
-55 to 150
Device Marking
WT4884AM=STM4884A
Unite
V
V
A
A
A
W
C/W
C
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/6
01-Aug-05
www.DataSheet4U.com
WT4884AM
WE ITR ON
30
24
18
12
6
VDS=10V
0
0 5 10 15 20
IDS, Drain-Source Current (A)
Fig.7 Transconductance Variation
with Drain Current
20.0
VGS=0V
10.0
1.0
0.2 0.4
0.6 0.8
1.0 1.2
VSD, Body Diode Forward Voltage (V)
Fig.8 Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
VDS=15V
8 ID=12A
6
4
2
0
0 9 18 27 36 45 54 63 72
Qg, Total Gate Charge (nC)
Fig.9 Gate Charge
50
10
1
1s1001m0sms
DC
0.1 VGS=10V
Single Pulse
0.03 TA=25 C
0.1 1
10 30 50
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Fig.10 Maximum Safe Operating Area
V DD
V IN R L
D V OUT
VGS
R GEN
G
S
FIG.11 Switching Test Circuit
td(on)
V OUT
ton
tr
td(off )
90%
10% INVERTED
toff
90%
tf
10%
VIN
10%
90%
50% 50%
PULSE WIDTH
FIG.12 Switching Waveforms
5
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
4/6
01-Aug-05
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WT4884AM | Surface Mount N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Weitron Technology |
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