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BUK9607-30B 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK9607-30B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUK9607-30B 자료 제공

부품번호 BUK9607-30B 기능
기능 (BUK9x07-30B) TrenchMOS logic level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK9607-30B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK9607-30B 데이터시트, 핀배열, 회로
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BUK95/9607-30B
TrenchMOS™ logic level FET
Rev. 01 — 25 April 2003
Product data
1. Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.
Product availability:
BUK9507-30B in SOT78 (TO-220AB)
BUK9607-30B in SOT404 (D2-PAK).
1.2 Features
s Low on-state resistance
s 175 °C rated
s Q101 compliant
s Logic level compatible.
1.3 Applications
s Automotive systems
s Motors, lamps and solenoids
s 12 V loads
s General purpose power switching.
1.4 Quick reference data
s EDS(AL)S 327 mJ
s ID 75 A
s RDSon = 5.9 m(typ)
s Ptot 157 W.
2. Pinning information
Table 1: Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol
Pin Description
Simplified outline
1 gate (g)
2 drain (d)
mb
[1]
mb
3 source (s)
mb mounting base;
connected to drain (d)
MBK106
123
SOT78 (TO-220AB)
2
1 3 MBK116
SOT404 (D2-PAK)
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
Symbol
d
g
MBB076
s




BUK9607-30B pdf, 반도체, 판매, 대치품
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Philips Semiconductors
BUK95/9607-30B
TrenchMOS™ logic level FET
4. Thermal characteristics
Table 3:
Symbol
Rth(j-a)
Rth(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
Conditions
Min
thermal resistance from junction to ambient
SOT78 package
vertical in still air
-
SOT404 package
minimum footprint; mounted on a PCB -
thermal resistance from junction to mounting Figure 4
base
-
Typ Max
60 -
50 -
- 0.95
Unit
K/W
K/W
K/W
4.1 Transient thermal impedance
1
Zth(j-mb)
(K/W)
δ = 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
10-2
single shot
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
03nn20
P
δ=
tp
T
tp
T
10-1
tp (s)
t
1
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
9397 750 11239
Product data
Rev. 01 — 25 April 2003
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
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BUK9607-30B 전자부품, 판매, 대치품
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Philips Semiconductors
BUK95/9607-30B
TrenchMOS™ logic level FET
300
ID
(A)
6
10
200
100
0
02
03nn16
Label is VGS (V)
5
4.8
4.6
4.4
4.2
4
3.8
3.6
3.4
3.2
3
2.8
2.6
46
8 10
VDS (V)
20
RDSon
(m)
15
10
5
0
0
03nn15
5 10 VGS (V) 15
Tj = 25 °C; tp = 300 µs
Fig 5. Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
Tj = 25 °C; ID = 25 A
Fig 6. Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
20
RDSon
(m)
15
10
5
03nn17
3.2
3.4
Label is VGS (V)
3.6
3.8
4
5
10
2
a
1.5
1
0.5
03aa27
0
0 40 80
Tj = 25 °C; tp = 300 µs
120 160
ID (A)
Fig 7. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
0
-60 0 60 120 180
Tj (°C)
a = --------R---D----S---o---n-------
R D S o n ( 25 °C )
Fig 8. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
9397 750 11239
Product data
Rev. 01 — 25 April 2003
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
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