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PDF 2SK3857TK Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SK3857TK | |
| Descripción | Silicon N-Channel Junction Type | |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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2SK3857TK
For ECM
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
2SK3857TK
• Application for Ultra-compact ECM
Unit: mm
1.2±0.05
0.8±0.05
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)
Characteristic
Gate-Drain voltage
Gate Current
Drain power dissipation (Ta = 25°C)
Junction Temperature
Storage temperature range
Symbol
VGDO
IG
PD
Tj
Tstg
Rating
-20
10
100
125
−55~125
Unit
V
mA
mW
°C
°C
IDSS CLASSIFICATION
A-Rank 140~240µA
B-Rank 210~350µA
1
3
2
TESM3
1.Drain
2.Source
3.Gate
JEDEC
-
JEITA
-
TOSHIBA
2-1R1A
Weight: 2.2mg (typ.)
Marking
9
Type Name
IDSS Classification Symbol
A :A-Rank
B :B-Rank
Equivalent Circuit
D
G
S
1 2007-01-08
1 page  
www.DataSheet4U.com
2SK3857TK
5 2007-01-08
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SK3857TK | Silicon N-Channel Junction Type | Toshiba Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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