|
|
|
부품번호 | D04S60 기능 |
|
|
기능 | SDD04S60 | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
www.DataSheet4U.com
Final data
SDP04S60, SDD04S60
SDT04S60
Silicon Carbide Schottky Diode
• Worlds first 600V Schottky diode
• Revolutionary semiconductor
material - Silicon Carbide
• Switching behavior benchmark
• No reverse recovery
• No temperature influence on
the switching behavior
• Ideal diode for Power Factor
Correction up to 800W 1)
• No forward recovery
P-TO220-2-2.
Product Summary
VRRM
600
Qc 13
IF 4
V
nC
A
P-TO252-3-1.
P-TO220-3-1.
Type
SDP04S60
SDD04S60
SDT04S60
Package
P-TO220-3-1.
P-TO252-3-1.
P-TO220-2-2.
Ordering Code
Q67040-S4369
Q67040-S4368
Q67040-S4445
Marking
D04S60
D04S60
D04S60
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous forward current, TC=100°C
RMS forward current, f=50Hz
IF
IFRMS
Surge non repetitive forward current, sine halfwave IFSM
TC=25°C, tp=10ms
Repetitive peak forward current
Tj=150°C, TC=100°C, D=0.1
Non repetitive peak forward current
IFRM
IFMAX
tp=10µs, TC=25°C
i 2t value, TC=25°C, tp=10ms
Repetitive peak reverse voltage
∫i2dt
VRRM
Surge peak reverse voltage
Power dissipation, TC=25°C
Operating and storage temperature
VRSM
Ptot
Tj , Tstg
Pin 1
n.c.
n.c.
C
PIN 2
C
A
A
Value
4
5.6
12.5
18
40
0.78
600
600
36.5
-55... +175
PIN 3
A
C
Unit
A
A²s
V
W
°C
Page 1
2004-02-11
www.DataSheet4U.com
1 Power dissipation
Ptot = f (TC)
40
W
Final data
SDP04S60, SDD04S60
SDT04S60
2 Diode forward current
IF= f (TC)
parameter: Tj≤175 °C
4.5
A
3.5
30
3
25
2.5
20
2
15
1.5
10
1
5 0.5
00 20 40 60 80 100 120 140 °C 180
TC
3 Typ. forward characteristic
IF = f (VF)
parameter: Tj , tp = 350 µs
8
A
-40°C
25°C
6 100°C
125°C
150°C
5
4
3
2
1
00 20 40 60 80 100 120 140 °C 180
TC
4 Typ. forward power dissipation vs.
average forward current
PF(AV)=f(IF) TC=100°C, d = tp/T
18
W
14
12
10
8
6
d=0.1
4 d=0.2
d=0.5
2 d=1
00 0.5 1 1.5 2 2.5 V 3.5
VF
Page 4
00 1 2 3 4 5 A 7
IF(AV)
2004-02-11
4페이지 www.DataSheet4U.com
Final data
SDP04S60, SDD04S60
SDT04S60
P-TO220-3-1
P-TO220-3-1
symbol
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
P
T
dimensions
[mm]
[inch]
min max min max
9.70 10.30 0.3819 0.4055
14.88 15.95 0.5858 0.6280
0.65 0.86 0.0256 0.0339
3.55 3.89 0.1398 0.1531
2.60 3.00 0.1024 0.1181
6.00 6.80 0.2362 0.2677
13.00 14.00 0.5118 0.5512
4.35 4.75 0.1713 0.1870
0.38 0.65 0.0150 0.0256
0.95 1.32 0.0374 0.0520
2.54 typ.
4.30 4.50
0.1 typ.
0.1693 0.1772
1.17 1.40 0.0461 0.0551
2.30 2.72 0.0906 0.1071
P-TO252 (D-Pak)
symbol
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
P
R
S
T
U
dimensions
[mm]
inch]
min max min max
6.40 6.73 0.2520 0.2650
5.25 5.50 0.2067 0.2165
(0.65) (1.15) (0.0256) (0.0453)
0.63 0.89 0.0248 0.0350
2.28
2.19 2.39
0.2520
0.0862 0.0941
0.76 0.98 0.0299 0.0386
0.90 1.21 0.0354 0.0476
5.97 6.23 0.2350 0.2453
9.40 10.40 0.3701 0.4094
0.46 0.58 0.0181 0.0228
0.87 1.15 0.0343 0.0453
0.51 - 0.0201 -
5.00 - 0.1969 -
4.17 - 0.1642 -
0.26 1.02 0.0102 0.0402
----
Page 7
2004-02-11
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ D04S60.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
D04S60 | SDD04S60 | Infineon Technologies |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |