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IPW60R199CP 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IPW60R199CP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IPW60R199CP 자료 제공

부품번호 IPW60R199CP 기능
기능 CoolMOS Power Transistor
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IPW60R199CP 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

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IPW60R199CP 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
CoolMOSTM Power Transistor
Features
• Lowest figure-of-merit RONxQg
• Ultra low gate charge
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary
V DS @ Tj,max
R DS(on),max
Q g,typ
IPW60R199CP
650 V
0.199
33 nC
PG-TO247-3-1
CoolMOS CP is specially designed for:
• Hard switching topologies, for Server and Telecom
Type
IPW60R199CP
Package
Ordering Code
PG-TO247-3-1 SP000089802
Marking
6R199P
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Symbol Conditions
ID
I D,pulse
E AS
T C=25 °C
T C=100 °C
T C=25 °C
I D=6.6 A, V DD=50 V
Avalanche
energy,
repetitive
t
2),3)
AR
E AR
I D=6.6 A, V DD=50 V
Avalanche
current,
repetitive
t
2),3)
AR
I AR
MOSFET dv /dt ruggedness
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
Mounting torque
dv /dt
V GS
V DS=0...480 V
static
AC (f >1 Hz)
P tot T C=25 °C
T j, T stg
M3 and M3.5 screws
Rev. 2.0
page 1
Value
16
10
51
436
0.66
6.6
50
±20
±30
139
-55 ... 150
60
Unit
A
mJ
A
V/ns
V
W
°C
Ncm
2006-06-19




IPW60R199CP pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
150
100
50
2 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
102
limited by on-state
resistance
IPW60R199CP
1 µs
10 µs
100 µs
101
1 ms
DC
10 ms
100
0
0 40 80 120
T C [°C]
3 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t P)
parameter: D=t p/T
100
10-1
160 100
101 102
V DS [V]
4 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
75
103
0.5
0.2
0.1
10-1 0.05
0.02
0.01
single pulse
60
45
30
15
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t p [s]
0
0
Rev. 2.0
page 4
10 V
20 V
8V
7V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
5 10 15
V DS [V]
20
2006-06-19

4페이지










IPW60R199CP 전자부품, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
13 Typ. capacitances
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz
105
14 Typ. Coss stored energy
E oss= f(V DS)
IPW60R199CP
12
104
Ciss
103
8
102 Coss
101
100
0
Crss
100 200 300 400 500
V DS [V]
4
0
0 100 200 300 400 500 600
V DS [V]
Rev. 2.0
page 7
2006-06-19

7페이지


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