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부품번호 | BSR202N 기능 |
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기능 | Small Signal Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
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전체 9 페이지수
www.DataSheet4U.com
OptiMOS®2 Small-Signal-Transistor
Features
• N-channel
• Enhancement mode
• Super Logic level (2.5V rated)
• Avalanche rated
• Footprint compatible to SOT23
• dv /dt rated
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
BSR202N
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
V GS=4.5 V
V GS=2.5 V
20 V
21 mΩ
33
3.8 A
PG-SC-59
3
12
Type
BSR202N
Package
PG-SC-59
Tape and Reel Information
L6327 = 3000 pcs. / reel
Marking
LAs
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
ESD Class
I D T A=25 °C
T A=25 °C
I D,pulse T A=25 °C
E AS I D=3.8 A, R GS=25 Ω
dv /dt
I D=3.8 A, V DS=16 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=150 °C
V GS
P tot T A=25 °C
T j, T stg
JESD22-C101-HBM
Soldering Temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Lead Free
Yes
Packing
Non dry
Value
3.8
3.1
15.2
30
6
±12
0.5
-55 ... 150
0 (0V to 250V)
260 °C
55/150/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
Rev. 1.05
page 1
2007-10-01
www.DataSheet4U.com
1 Power dissipation
P tot=f(T A)
2 Drain current
I D=f(T A); V GS≥4.5 V
BSR202N
0.6 4
0.5
3
0.4
0.3 2
0.2
1
0.1
00
0 40 80 120 160
0 40 80 120
T A [°C]
T A [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T A=25 °C; D =0
parameter: t p
102
limited by on-state
resistance
101
1 ms
10 µs
100 µs
100
10 ms
10-1
10-2
DC
4 Max. transient thermal impedance
Z thJA=f(t p)
parameter: D =t p/T
103
0.5
102
0.2
0.1
0.05
101 0.02
0.01
100 single pulse
160
10-3
10-2
Rev. 1.05
10-1 100 101
V DS [V]
10-1
102
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
t p [s]
page 4
2007-10-01
4페이지 www.DataSheet4U.com
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
101
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=3.8 A pulsed
parameter: V DD
10
BSR202N
25 °C
9
8
100 °C
7
16 V
125 °C
6
10 V
100 5 4 V
4
3
2
10-1
100
101 102
t AV [µs]
1
0
103 0 2 4 6 8 10 12 14
Q gate [nC]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA
16 Gate charge waveforms
25
V GS
24
23
22
21
20
V g s(th)
19
18
17
16
-60 -20 20
60 100 140
T j [°C]
Q g(th)
Q gs
Rev. 1.05
page 7
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2007-10-01
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