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AP9479GM 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9479GM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AP9479GM 자료 제공

부품번호 AP9479GM 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9479GM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP9479GM 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9479GM
Pb Free Plating Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Simple Drive Requirement
Lower Gate Charge
www.DataSheet4U.cFoamst Switching Characteristic
Description
D
D
D
D
SO-8
G
S
S
S
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The SO-8 package is universally preferred for all commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters.
BVDSS
RDS(ON)
ID
G
60V
45mΩ
5.6A
D
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Rthj-a
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3
Rating
60
±25
5.6
4.5
30
2.5
0.02
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
Max.
Value
50
Unit
/W
Data and specifications subject to change without notice
200127051




AP9479GM pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9479GM
15
ID=5A
12
V DS = 30 V
V DS = 38 V
9 V DS = 48 V
6
www.DataSheet4U.com
3
0
0 10 20
Q G , Total Gate Charge (nC)
30
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10
100us
1ms
1
10ms
100ms
0.1 T A =25 o C
Single Pulse
1s
DC
0.01
0.1 1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
1000
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
30
V DS =5V
20
T j =25 o C
T j =150 o C
10
0
024
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Transfer Characteristics
6
f=1.0MHz
10000
C1000 iss
C100 oss
C rss
10
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja = 125/W
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
10 100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform

4페이지












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