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P4NB80 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 P4NB80은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P4NB80 자료 제공

부품번호 P4NB80 기능
기능 STP4NB80
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


P4NB80 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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P4NB80 데이터시트, 핀배열, 회로
STP4NB80
® STP4NB80FP
N - CHANNEL 800V - 3- 4A - TO-220/TO-220FP
PowerMESHMOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STP4NB80
800 V
3.3
4A
www.DataSheet4U.cSoTmP4NB80FP
800 V
3.3
4A
s TYPICAL RDS(on) = 3
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
s GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an
advanced family of power MOSFETs with
outstanding performances. The new patent
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220FP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS
VDGR
VGS
ID
ID
IDM()
Ptot
Drain-source Voltage (VGS = 0)
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope
VISO Insulation Withstand Voltage (DC)
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
() Pulse width limited by safe operating area
(*) Limited only by maximum temperature allowed
September 2001
Value
STP4NB80 STP4NB80FP
800
800
± 30
4 4(*)
2.4 2.4(*)
16 16
100 35
0.8 0.28
4.5 4.5
2500
-65 to 150
150
(1) ISD 4 A, di/dt 200 A/µs, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/oC
V/ns
V
oC
oC
1/9




P4NB80 pdf, 반도체, 판매, 대치품
STP4NB80/FP
Thermal Impedance for TO-220
Thermal Impedance forTO-220FP
www.DataSheet4U.com
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
4/9

4페이지










P4NB80 전자부품, 판매, 대치품
DIM.
A
C
D
E
www.DataSheet4U.com F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
M
DIA.
STP4NB80/FP
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.40
10.00
13.00
2.65
15.25
6.20
3.50
3.75
TO-220 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
16.40
2.60
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.70
10.40
14.00
2.95
15.75
6.60
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.394
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
inch
TYP.
0.645
0.102
MAX.
0.181
0.052
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.202
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
P011CI
7/9

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ P4NB80.PDF 데이터시트 ]

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