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DB3 데이터시트 PDF




HY ELECTRONIC에서 제조한 전자 부품 DB3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DB3 자료 제공

부품번호 DB3 기능
기능 SILICON BIDIRECTIONAL DIACS
제조업체 HY ELECTRONIC
로고 HY ELECTRONIC 로고


DB3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DB3 데이터시트, 핀배열, 회로
DB3,DB4,DB6
SILICON
BIDIRECTIONAL DIACS
POWER DISSIPATION 150 mW
FEATURES
DO- 41
Three way layer two terminal, axial lead ,
hermetically sealed diacs are designed specifically for
triggering thyrisitors .The demonstrate low breakover current.
The breakover symmetry is within three volts(DB3,DB4)
or four volts(DB6).These diacs are intended for
1.0(25.4)
MIN
www.DatauSsheeient4thUy.croismitors phase control.,circuits for lamp
dimming universal motor speed control and heat
control
.205(5.2)
MAX
This diocle is also avaiable in the DO-41case.
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA
..100870((22..70))DIA
DO-35(GLASS)
1.083(27.5)
MIN
.020
(0.51)
TYP.
.150(3.8)
MAX
.079 MAX
(2.0)
1.0(25.4)
MIN
1.083(27.5)
MIN
ABSOLUTE RATINGS
Dimensions in inches and (millimeters)
PARAMETERS
Power Dissipation on Printed
Cir cuit(L=10mm)
TA=50
Repetitive Peak on-state
Tp=10uS
Current
f=100HZ
Storage and Operating Juntion Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
Pc
ITRM
TSTG/TJ
DB3
VALUE
DB4
150
2.0
-44 to+125/-40 to+110
DB6
PAPRAMETERS
Breakover Voltage*
Breakover Voltage Symmetry
Dynamic Breakover Voltage
Output Voltage*
Breakover Current*
Rise Time*
Leakage Current*
SYMBOLS
VBO
1+VBOI-
1-VBOI
1±V1
VO
IBO
tr
IB
TEST CONDITIONS
C=22nf**
See Diagram 1
C=22nf**
See Diagram 1
I=(IBO to IF=10mA)
See FIG 1
See FIG 2
C=22nf**
See FIG 3
IB=0.5 VBO MAX
See FIG 3
Min
Typ
Max
Max
Min
Min
Max
Typ
Max
DB3
28
32
36
VALUE
DB4
35
40
45
±3
DB6
56
60
70
5
5
100
1.5
10
NOTE:* Electrical characteristics applicable in both forward and reverse directions.
** Connected in parallel with the devices.
~ 211 ~
UNITS
mW
A
UNITS
V
V
V
V
uA
uS
uA





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