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FD400R12KF4 데이터시트 PDF




eupec GmbH에서 제조한 전자 부품 FD400R12KF4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FD400R12KF4 자료 제공

부품번호 FD400R12KF4 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 eupec GmbH
로고 eupec GmbH 로고


FD400R12KF4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FD400R12KF4 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
FD 400 R 12 KF4
screwing depth
max. 8
31,5
11,85
55,2
M8
130
114
E1 C2
C1
E1
G1 C1
M4
28
screwing depth
max. 8
7
2,5 deep
16
40
53
E2
2,5 deep
E1
E1
C2 (K)
G1
C1
C1
E2 (A)
A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze




FD400R12KF4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
FD 400 R12 KF4
10-1
6
Z(th)JC
[°C/W]
3
2
www.DataSheet41U0.-c2om
Diode
IGBT
800
700
iF
[A]
600
500
400
300
5
3 200
2
100
10-310-3 2
4
FD400R12KF4
10-2 2 4
10-1 2 4
100 2 4 101
t [s]
Bild/Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC)
Transient thermal impedance per arm (DC)
0
0.5 1.0 1.5 2.0
FD400R12KF4
Bild/Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25 °C
tvj = 125 °C
2.5
v F [V]
3.0

4페이지












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