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부품번호 | FD400R12KF4 기능 |
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기능 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
제조업체 | eupec GmbH | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
www.DataSheet4U.com
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
FD 400 R 12 KF4
screwing depth
max. 8
31,5
11,85
55,2
M8
130
114
E1 C2
C1
E1
G1 C1
M4
28
screwing depth
max. 8
7
2,5 deep
16
40
53
E2
2,5 deep
E1
E1
C2 (K)
G1
C1
C1
E2 (A)
A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze
FD 400 R12 KF4
10-1
6
Z(th)JC
[°C/W]
3
2
www.DataSheet41U0.-c2om
Diode
IGBT
800
700
iF
[A]
600
500
400
300
5
3 200
2
100
10-310-3 2
4
FD400R12KF4
10-2 2 4
10-1 2 4
100 2 4 101
t [s]
Bild/Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC)
Transient thermal impedance per arm (DC)
0
0.5 1.0 1.5 2.0
FD400R12KF4
Bild/Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25 °C
tvj = 125 °C
2.5
v F [V]
3.0
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
FD400R12KF4 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | eupec GmbH |
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