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TSM2N7000 데이터시트 PDF




Taiwan Semiconductor Company에서 제조한 전자 부품 TSM2N7000은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TSM2N7000 자료 제공

부품번호 TSM2N7000 기능
기능 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 Taiwan Semiconductor Company
로고 Taiwan Semiconductor Company 로고


TSM2N7000 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TSM2N7000 데이터시트, 핀배열, 회로
TSM2N7000
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Pin assignment:
1. Gate
2. Source
3. Drain
VDS = 60V
ID = 200mA
RDS (on), Vgs @ 10V, Ids @ 500mA = 5.0
General Description
www.DataSheet4U.comThe TSM2N7000 is produced using high cell density, DMOS technology. These products have been designed to
minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most
applications requiring up to 200mA DC and can deliver pulsed currents up to 500mA. This product is particularly suited
for low voltage, low current application such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other
switching applications.
Features
Ordering Information
— High density cell design for low on-resistance
— Voltage control small signal switch
— Rugged and reliable
— High saturation current capability
— Provide in TO-92 package
Part No.
TSM2N7000CT A3
TSM2N7000CT B0
Packing
Ammo pack
Bulk pack
Block Diagram
Package
TO-92
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage --- Continuous
--- Pulsed
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Ta = 25 oC
Ta > 25 oC
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
Thermal Performance
Symbol
VDS
VDGR
VGS
VGSM
ID
IDM
PD
TJ
TJ, TSTG
Parameter
Lead Temperature (1/8” from case)
Junction to Ambient Thermal Resistance
Symbol
TL
Rθja
Limit
60
60
± 20
± 40
200
500
350
2.8
+150
- 55 to +150
Limit
10
357
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
mW/ oC
oC
oC
Unit
S
oC/W
TSM2N7000
1-3 2003/12 rev. A





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