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PBMB50A6 데이터시트 PDF




Nihon Inter Electronics에서 제조한 전자 부품 PBMB50A6은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PBMB50A6 자료 제공

부품번호 PBMB50A6 기능
기능 IGBT MODULE
제조업체 Nihon Inter Electronics
로고 Nihon Inter Electronics 로고


PBMB50A6 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBMB50A6 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT MODULE H-Bridge 50A 600V
CIRCUIT
PBMB50A6
OUTLINE DRAWING
5 -fastentabNo 250
8 -fasten-tabNo 110
www.DataSheet4U.com
Dimension(mm)
MAXMUM RATINGS (Tc=25°C)
Item
Symbol
PBMB50A6
Collector-Emitter Voltage
Gate - Emitter Voltage
Collector Current
DC
1 ms
Collector Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Isolation Voltage Terminal to Base AC, 1 min.)
Mounting Torque
Module Base to Heatsink
Bus Bar to Main Terminals
VCES
VGES
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
VISO
FTOR
600
+/ - 20
50
100
250
-40 to +150
-40 to +125
2500
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min.
Collector-Emitter Cut-Off Current
ICES VCE=600V,VGE=0V
-
Gate-Emitter Leakage Current
IGES VGE=+/- 20V,VCE=0V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC=50A,VGE=15V
-
Gate-Emitter Threshold Voltage
VGE(th) VCE=5V,IC=50mA
4.0
Input Capacitance
Cies VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz
-
Switching Time
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
tr VCC= 300V
ton RL= 6 ohm
tf RG= 15 ohm
toff VGE= +/- 15V
-
-
-
-
FREE WHEELING DIODES RATINGS & CHARACTERISTICS (Tc=25°C)
Item
Symbol
Rated Value
Forward Current
DC
1 ms
IF
IFM
50
100
Approximate Weight : 200g
Unit
V
V
A
W
°C
°C
V
Nm
Typ.
-
-
2.0
-
5,000
0.15
0.25
0.2
0.45
Max.
1.0
1.0
2.5
8.0
-
0.3
0.4
0.35
0.7
Unit
mA
µA
V
V
pF
µs
Unit
A
Characteristic
Symbol
Peak Forward Voltage
Reverse Recovery Time
VF
trr
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Impedance
IGBT
DIODE
Test Condition
IF=50A,VGE=0V
IF=50A,VGE=-10V,di/dt=50A/µs
Symbol
Rth(j-c)
Test Condition
Junction to Case
Min. Typ. Max. Unit
- 1.9 2.4 V
- 0.15 0.25 µs
Min. Typ. Max. Unit
-
-
-
-
0.5
1.00
°C/W





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