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PDF SPI80N10L Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza SPI80N10L
Descripción OptiMOS Power-Transistor
Fabricantes Infineon Technologies 
Logotipo Infineon Technologies Logotipo



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No Preview Available ! SPI80N10L Hoja de datos, Descripción, Manual

www.DataSheet4U.com
Preliminary data
SPI80N10L
SPP80N10L,SPB80N10L
SIPMOSPower-Transistor
Feature
 N-Channel
 Enhancement mode
 Logic Level
175°C operating temperature
P-TO262-3-1
 Avalanche rated
 dv/dt rated
Product Summary
VDS 100 V
RDS(on) 14 m
ID 80 A
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
Type
SPP80N10L
SPB80N10L
SPI80N10L
Package
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
Ordering Code
Q67042-S4173
Q67042-S4171
Q67042-S4172
Marking
80N10L
80N10L
80N10L
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
TC=25°C
TC=100°C
ID
Pulsed drain current
TC=25°C
Avalanche energy, single pulse
ID=80 A , VDD=25V, RGS=25
Avalanche energy, periodic limited by Tjmax
Reverse diode dv/dt
ID puls
EAS
EAR
dv/dt
IS=80A, VDS=0V, di/dt=200A/µs
Gate source voltage
Power dissipation
TC=25°C
VGS
Ptot
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Tj , Tstg
Page 1
Value
80
58
320
Unit
A
700 mJ
25
6 kV/µs
±20 V
250 W
-55... +175
55/175/56
°C
2002-08-14

1 page




SPI80N10L pdf
www.DataSheet4U.com
Preliminary data
SPI80N10L
SPP80N10L,SPB80N10L
5 Typ. output characteristic
ID = f (VDS); Tj=25°C
parameter: tp = 80 µs
SPP80N10L
190 Ptot = 250W
A
l kji hg f
160
140
120
100
80
60
40
VGS [V]
a
e
b
2.5
3.0
c 3.5
d 4.0
e 4.5
d
f 5.0
g 5.5
h 6.0
i
cj
6.5
7.0
k 8.0
l 10.0
b
20
a
0
0 1 2 3 4V 6
VDS
6 Typ. drain-source on resistance
RDS(on) = f (ID)
parameter: VGS
SPP80N10L
80
bc de
m
60
50
40
30
20
10 VGS [V] =
bc def
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
ghi j
5.5 6.0 6.5 7.0
f
l
hj
g
ik
kl
8.0 10.0
0
0 20 40 60 80 100 120 140 A 170
ID
7 Typ. transfer characteristics
ID= f ( VGS ); VDS 2 x ID x RDS(on)max
parameter: tp = 80 µs
70
A
8 Typ. forward transconductance
gfs = f(ID); Tj=25°C
parameter: gfs
60
S
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 5
VGS
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10 20 30 40 A
60
ID
Page 5
2002-08-14

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
SPI80N10LOptiMOS Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies
SPI80N10LPower-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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