Datasheet.kr   

iT2001P 데이터시트 PDF




Iterra에서 제조한 전자 부품 iT2001P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 iT2001P 자료 제공

부품번호 iT2001P 기능
기능 1 to 20 GHz medium gain high-power amplifier
제조업체 Iterra
로고 Iterra 로고


iT2001P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

iT2001P 데이터시트, 핀배열, 회로
Description
www.DataSheet4U.com
iT2001P
1 to 20 GHz Medium Gain
High-Power Amplifier
The iT2001P is a broadband packaged amplifier designed for high output power
applications. It provides saturated output power of 1 W up to 7 GHz and greater than 29
dBm up to 14 GHz. Typical gain of 13 dB is provided across the bandwidth. DC power
consumption of 5.4 W is obtained in bias condition for best output power and good linear
performance. Input and output ports are DC coupled. The iT2001P is fabricated using
pHEMT technology with MBE, Ti-Pt-Au gate metallization, silicon nitride passivation, and
polymide for scratch protection. Full passivation of the active area and above air bridges
provides very high reliability. The package base is made of copper to minimize thermal
resistance while also ensuring compatibility between materials. The feedthroughs are
realized on a ceramic frame to achieve excellent broadband performance.
Features
™ Bandwidth: 1 GHz – 20 GHz
™ Psat (1 GHz – 7 GHz): 30 dBm nominal
™ Psat (7 GHz – 14 GHz): > 29 dBm nominal
™ Psat (14 GHz – 20 GHz): > 26 dBm nominal
™ Gain: 13 dB nominal
™ DC bias conditions: 9 V at 600 mA
™ Ceramic flange-mount package
Absolute
Maximum
Ratings
(1. Combination of
positive supply
voltage and
supply current per
stage (Vd1 x Id1)
shall not exceed
50% of maximum
total power
dissipation (5 W)
Symbol
Vd1
Vd2
Vg21 and Vg22
Vd1- Vg11
Vd2 - Vg12
Vg11
Id1
Id2
Ig1
Pin
Pdiss_DC
Tch
Tm
Tst
Parameters/conditions
Power supply voltage first stage (1)
Positive supply voltage second stage (1)
Positive supply voltage (gate)
Gate to drain voltage
Gate to drain voltage
Negative supply voltage
Positive supply current first stage (1)
Positive supply current second stage (1)
Negative supply current
RF input power
Total DC power dissipation (no RF)
Operating channel temperature
Mounting temperature (30 s)
Storage temperature
Min.
-3
-2
-65
Max.
11
11
5
12
12
0
800
800
3.2
21
10
150
320
150
Units
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
dBm
W
°C
°C
°C
www.iterrac.com
This is a Production data sheet. See “Product Status Definitions”
on Web site or catalog for product development status.
Nov. 11, 2004, Doc.1176 Rev 3.3
Page 1
iTerra Communications
2400 Geng Road, Ste. 100, Palo Alto, CA 94303
Phone (650) 424-1937, Fax (650) 424-1938




iT2001P pdf, 반도체, 판매, 대치품
Chip
Dimensions
Dimensions are
in mm (in.).
Base in Cu/W
composite
www.DataSheetm4Ua.cteomrial
iT2001P
1 to 20 GHz Medium Gain
High-Power Amplifier
www.iterrac.com
This is a Production data sheet. See “Product Status Definitions”
on Web site or catalog for product development status.
Nov. 11, 2004, Doc.1176 Rev 3.3
Page 4
iTerra Communications
2400 Geng Road, Ste. 100, Palo Alto, CA 94303
Phone (650) 424-1937, Fax (650) 424-1938

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ iT2001P.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
iT2001P

1 to 20 GHz medium gain high-power amplifier

Iterra
Iterra

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵