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TE13004D 데이터시트 PDF




TEMIC Semiconductors에서 제조한 전자 부품 TE13004D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TE13004D 자료 제공

부품번호 TE13004D 기능
기능 (TE13004D / TE13005D) Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
제조업체 TEMIC Semiconductors
로고 TEMIC Semiconductors 로고


TE13004D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

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TE13004D 데이터시트, 핀배열, 회로
TE13004D TE13005D
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
Features
D Monolithic integrated C-E-free-wheel diode
D HIGH SPEED technology
D Planar passivation
D Very short switching times
D Very low switching losses
www.DataSheet4U.coDm Very low dynamic saturation
D Very low operating temperature
D High reverse voltage
14283
Applications
Electronic lamp ballast circuits
Switch-mode power supplies
Absolute Maximum Ratings
Tcase = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-emitter voltage
Test Conditions
Emitter-base voltage
Collector current
Collector peak current
Base current
Base peak current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Tcase 25° C
Type
TE13004D
TE13005D
TE13004D
TE13005D
Symbol
VCEO
VCEO
VCES
VCES
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
Value
300
400
600
700
9
6
8
2
4
57
150
–65 to +150
Unit
V
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
Maximum Thermal Resistance
Tcase = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Junction case
Test Conditions
Symbol
RthJC
Value
2.2
Unit
K/W
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A2, 18-Jul-97
1 (9)




TE13004D pdf, 반도체, 판매, 대치품
TE13004D TE13005D
94 8863
+VS2 10 V
www.DataSheet4U.3coPmulses
+tp
T
0.1
+tp 10 ms
wIB
IC
5
IC
IC LC
+VS1
0 to
30
V+
VCE
V(BR)CEO
I(BR)R
100 mW
Figure 2. Test circuit for V(BR)CE0
94 8852
IB
IB1
0
RC
IC
–IB2
(1)
IB1
VCE
VCC
IC
IB 0.9 IC
RB
VBB +
(1) Fast electronic switch
0.1 IC
tr
td
ton
Figure 3. Test circuit for switching characteristics – resistive load
Imeasure
V(BR)CEO
t
t
ts tf
toff
4 (9) TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A2, 18-Jul-97

4페이지










TE13004D 전자부품, 판매, 대치품
10
1 ts
TE13004D TE13005D
R–load
10
ts
1
R–load
0.1
www.DataSheet4U.com 0.01
0
95 9908
10
1
tf
hFE = 5
IB1 = –IB2
Tcase = 25°C
1234
IC – Collector Current ( A )
5
Figure 11. ts, tf vs. IC
L–load
ts
0.1 tf
0.01
0
IC = 2A
IB1 = 0.4A
Tcase = 25°C
1
2
3
95 9909
–IB2/IB1
4
Figure 14. ts, tf vs. –IB2/IB1
5
10
ts
1
L–load
0.1
0.01
0
95 9910
tf
hFE = 5
IB1 = –IB2
Tcase = 25°C
1234
IC – Collector Current ( A )
5
Figure 12. ts, tf vs. IC
10
DC
1 tp/T = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1 0.02
0.01
0.01
0.01
95 10962
0.1 1
10
tp – Pulse Length ( ms )
Figure 13.
100
0.1 tf
IC = 2A
IB1 = 0.4A
Tcase = 25°C
0.01
01
95 9911
23
–IB2/IB1
45
Figure 15. Error during Connect – 6107
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A2, 18-Jul-97
7 (9)

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