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AAT9060 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 AAT9060 기능
기능 30V N-Channel Power MOSFET
제조업체 Advanced Analogic Technologies
로고 Advanced Analogic Technologies 로고 


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AAT9060 데이터시트, 핀배열, 회로
General Description
The AAT9060 30V N-Channel Power MOSFET is a
member of AnalogicTech™'s TrenchDMOS™
product family. Using the ultra-high density propri-
etary TrenchDMOS technology, this product
demonstrates high power handling and small size.
www.DataSheet4U.com
Applications
• DC-DC converters
• High current load switches
• LDO output
AAT9060
30V N-Channel Power MOSFET
Features
PWMSwitch
• VDS(MAX) = 30V
• ID(MAX)1 = 39A @ TC = 25°C
• IAPP(MAX) = 12.5A in typical computer application
• Low RDS(ON):
• 16 m@VGS = 10V
• 27 m@VGS = 4.5V
DPAK Package
Drain-Connected Tab
GS
Absolute Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise noted)
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
IS
PD
TJ, TSTG
Description
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @ TJ=150°C 1
Pulsed Drain Current 3
TC = 25°C
TC = 70°C
Continuous Source Current (Source-Drain Diode) 1
Maximum Power Dissipation 1
TC = 25°C
TC = 70°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Value
30
±20
±39
±31
±60
20
41
26
-55 to 150
Units
V
A
W
°C
Thermal Characteristics
Symbol
RθJA
RTYP
RθJC
Description
Maximum Junction-to-Ambient
Typical Junction to ambient on PC board 2
Maximum Junction-to-Case
9060.2003.05.0.9
Value
96
24
3
Units
°C/W
°C/W
°C/W
1




AAT9060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
(TJ = 25ºC unless otherwise noted)
10
VD = 15V
ID = 11.5A
8
Gate Charge
6
www.DataSheet4U.com
4
2
0
0 5 10 15
Qg, Charge (nC)
20
25
Capacitance
1800
1500
1200
900
600
300
0
0
CISS
CRSS
COSS
10 20
VDS (V)
30
40
AAT9060
30V N-Channel Power MOSFET
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
TJ = 150°C
10
TJ = 25°C
1
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8
VSD (V)
1 1.2
4 9060.2003.05.0.9

4페이지












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