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AAT9512 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 AAT9512 기능
기능 30V N-Channel Power MOSFET
제조업체 Advanced Analogic Technologies
로고 Advanced Analogic Technologies 로고 


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AAT9512 데이터시트, 핀배열, 회로
General Description
The AAT9512 is a low threshold MOSFET designed
for the battery, cell phone, and PDA markets. Using
AnalogicTech™'s ultra high density MOSFET
process and space saving small outline J-lead pack-
age, performance superior to that normally found in
a TSOP-6 footprint has been squeezed into the foot-
print of a SC70 package.
www.DataSheet4U.com
Applications
• Battery Packs
• Cellular & Cordless Telephones
• Battery-powered portable equipment
AAT9512
28V N-Channel Power MOSFET
Features
• VDS(MAX) = 28V
• ID(MAX) 1 = 4.5A @ 25°C
• Low RDS(ON):
• 48 m@ VGS = 4.5V
• 76 m@ VGS = 2.5V
SC70JW-8 Package
Top View
DDDD
8765
1234
SSSG
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
IS
PD
TJ, TSTG
Description
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @ TJ=150 C 1
Pulsed Drain Current 2
TA = 25°C
TA = 70°C
Continuous Source Current (Source-Drain Diode) 1
Maximum Power Dissipation 1
TA = 25°C
TA = 70°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Value
28
±12
±4.5
±3.6
±20
1.2
1.6
1.0
-55 to 150
Thermal Characteristics
Symbol
RθJA
RθJA2
RθJF
Description
Typical Junction-to-Ambient steady state 1
Maximum Junction-to-Ambient t<5 seconds 1
Typical Junction-to-Foot 1
Value
102
78
35
Units
V
A
W
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
9512.2003.04.0.61
1




AAT9512 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
(TJ = 25ºC unless otherwise noted)
Gate Charge
5 VD= 15V
ID= 5A
4
3
www.DataSheet4U.com
2
1
0
01
23
QG, Charge (nC)
4
5
Capacitance
750
Ciss
600
450
300
150
0
0
Crss
Coss
10
VDS (V)
20
30
AAT9512
28V N-Channel Power MOSFET
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
10 TJ = 150°C
1 TJ = 25°C
0.1
0
0.5 1
VSD (V)
1.5
4 9512.2003.04.0.61

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