Datasheet.kr   

H5N2005DS 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 H5N2005DS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 H5N2005DS 자료 제공

부품번호 H5N2005DS 기능
기능 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


H5N2005DS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

H5N2005DS 데이터시트, 핀배열, 회로
To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)
www.DataSheAet4cUc.coormdingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand
names are mentioned in the document, these names have in fact all been changed to Renesas
Technology Corp. Thank you for your understanding. Except for our corporate trademark, logo and
corporate statement, no changes whatsoever have been made to the contents of the document, and
these changes do not constitute any alteration to the contents of the document itself.
Renesas Technology Home Page: http://www.renesas.com
Renesas Technology Corp.
Customer Support Dept.
April 1, 2003




H5N2005DS pdf, 반도체, 판매, 대치품
H5N2005DL, H5N2005DS
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain
current
VDSS
VGSS
ID
I Note 1
D (pulse)
I DR
Body-drain diode reverse drain peak
current
I Note 1
DR (pulse)
Channel dissipation
Pch Note 2
Channel to case thermal impedance
www.DataSheet4U.com
Channel temperature
θ ch-c
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%
2. Value at Tc = 25°C
Ratings
200
±30
(6)
(24)
(6)
(24)
25
5
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C/W
°C
°C
2

4페이지










H5N2005DS 전자부품, 판매, 대치품
6.5 ± 0.5
5.4 ± 0.5
H5N2005DL, H5N2005DS
2.3 ± 0.2
0.55 ± 0.1
As of January, 2001
Unit: mm
(4.9)
www.DataSheet4U.co2m.29 ± 0.5
1.15 ± 0.1
0.8 ± 0.1
2.29 ± 0.5
0 – 0.25
0.55 ± 0.1
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
DPAK (S)-(1),(2)
Conforms
0.28 g
5

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ H5N2005DS.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
H5N2005DL

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
H5N2005DS

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵