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L2SC3838QT1 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 L2SC3838QT1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 L2SC3838QT1 자료 제공

부품번호 L2SC3838QT1 기능
기능 High-Frequency Amplifier NPN Transistor
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


L2SC3838QT1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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L2SC3838QT1 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
High-Frequency Amplifier
NPN Transistor
L6&3838QT1
L2SC3838QT1
3
www.DataSheet4U.com
)HDWXUHV
 +LJKWUDQVLWLRQIUHTXHQF\ 7\SI7 3.2*+]
 6PDOOUEE¶&FDQGKLJKJDLQ 7\SSV
 6PDOO1)
1
2
SC-59
Absolute maximum ratings (Ta=25 oC)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
20
11
3
50
0.2
150
- 55~+150
Unit
V
V
V
mA
W
oC
oC
Device Marking
L2SC3838QT1=R25
1
BASE
3
COLLECTOR
2
EMITTER
Electrical characteristics (Ta=25 oC)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Collector-base time constant
Noise factor
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
rbb'·Cc
NF
Min.
20
11
3
-
-
-
120
1.4
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
3.2
0.8
4
3.5
Max.
-
-
-
0.5
0.5
0.5
270
-
1.5
12
-
Unit
V
V
V
uA
uA
V
-
GHz
pF
ps
dB
Conditions
IC = 10 µA
IC = 1mA
IE = 10 µA
VCB = 10V,IE=0
VEB = 2V,IC=0
IC/IB = 10mA/5mA
VCE/IC = 10V/5mA
VCB = 10V , IC = 10mA , f = 500MHz
VCB = 10V , IE = 0A , f = 1MHz
VCB = 10V , IC = 10mA , f = 31.8MHz
VCE = 6V , IC = 2mA , f = 500MHz , Rg = 50
L2SC3838QT1-1/2





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