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CGH40045 데이터시트 PDF




Cree에서 제조한 전자 부품 CGH40045은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CGH40045 자료 제공

부품번호 CGH40045 기능
기능 GaN HEMT
제조업체 Cree
로고 Cree 로고


CGH40045 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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CGH40045 데이터시트, 핀배열, 회로
PRELIMINARY
CGH40045
45 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40045 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high
electron mobility transistor (HEMT). The CGH40045, operating
from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution
to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer
high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities making
www.DataSheetth4Ue.cCoGmH40045 ideal for linear and compressed amplifier circuits.
The transistor is available in a flange package.
PackagePNTy: pCeGs:H4404004159F3
FEATURES
APPLICATIONS
• Up to 4 GHz Operation
• >16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
• 12 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
• 55 W Typical P3dB
55 % Efficiency at P3dB
• 28 V Operation
• 2-Way Private Radio
Broadband Amplifiers
• Cellular Infrastructure
• Test Instrumentation
Class A, AB, Linear amplifiers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Subject to change without notice.
www.cree.com/wireless





CGH40045 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance
Pulsed Gain and Output Power vs Input Power of
the CGH40045F measured in Amplifier Circuit CGH40045F-TB
VDD = 28 V, IDQ = 800 mA, Freq = 3.6 GHz, Pulse Width=200µS, 10% Duty Cycle
13 60
www.DataSheet4U.com
12
11
10
9
Gain
POUT
50
40
30
20
8 10
70
5 10 15 20 25 30 35 40
Input Power (dBm)
Simulated Source and Load Impedances
Z Source
G
D
Z Load
S
Frequency (MHz)
500
1000
2000
3000
4000
Z Source
3.34 + j4.56
2.07 + j0.05
1.3 – j3.37
1.64 – j8.15
1.9 – j10.8
Z Load
10.8 + j8.24
6.18 + j4.17
4.65 + j0.05
4.75 – j3.4
4.56 – j7.9
Note 1. VDD = 28V, IDQ = 800mA in the 440193 package.
Note 2. Optimized for P3dB and Drain Efficiency
Copyright © 2006-2007 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree and
the Cree logo are registered trademarks of Cree, Inc.
 CGH40045 Rev 1.1 Preliminary
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.313.5778
www.cree.com/wireless

4페이지










CGH40045 전자부품, 판매, 대치품
CGH40045F-TB Demonstration Amplifier Circuit
www.DataSheet4U.com
CGH40045F-TB Demonstration Amplifier Circuit Bill of Materials
Designator
C1
C2
C3,C10
C5,C12
C6,C13
C4,C11
C8
C9
C7,C14
C15
C16
R1
R2
L1
L2
J1,J2
J3
Q1
Description
CAP, 6.8pF, ± -0.25 pF, 0603
CAP, 1.8pF, ± -0.1 pF, 0603
CAP, 5.6pF, ± -0.1pF, 0603
CAP, 10000pF, 100V, TEMP STBL, 0805
CAP, 0.1uF ±10%, 100 V, 1206, X7R
CAP, 100pF±5%, 0603
CAP, 10UF, 16V, SMT, TANTALUM
CAP, 0.2pF, ± -0.05pF, 0603
CAP, 1.0UF ±10%, 100V, 1210, X7R
CAP, 33UF, 20%, 100V, ELECT, FK, SMD
CAP, 4.7pF, ± 0.25pF, 0603
RES, 1/16W, 0603, 100 Ohms 1%
RES, 1/16W, 0603, 10 Ohms 1%
FERRITE, 220 OHM, 0805
FERRITE, 22 OHM, 0805
CONN, N-TYPE, FEMALE , W/ 0.500 FLANGE
CONN, HEADER, RT>PLZ .1CEN LK 9POS
CGH40045
Qty
1
1
2
2
2
2
1
1
2
1
1
1
1
1
1
2
1
1
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the Cree logo are registered trademarks of Cree, Inc.
 CGH40045 Rev 1.1 Preliminary
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
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Fax: +1.919.313.5778
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