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BAV19 데이터시트 PDF




Galaxy Semi-Conductor에서 제조한 전자 부품 BAV19은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BAV19 자료 제공

부품번호 BAV19 기능
기능 (BAVxx) SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE
제조업체 Galaxy Semi-Conductor
로고 Galaxy Semi-Conductor 로고


BAV19 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BAV19 데이터시트, 핀배열, 회로
BL GALAXY ELECTRICAL
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE
BAV17---BAV21
VOLTAGE RANGE: 20-200 V
CURRENT: 250 mA
FEATURES
Silicon epitaxial planar diode
High speed switching diode
500 m W power dissipation
DO - 35(GLASS)
www.DataSheet4U.com
MECHANICAL DATA
Case: DO-35,glass case
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.004 ounces, 0.13 gram s
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at
am bient temperature unless otherwise specified.
MAXIMUM RATINGS
Reverse voltage
Peak reverse voltage
Average forw ard rectified current
BAV17
BAV18
VR 20
50
VRM
25
60
Half w ave rectification w ith resist.load
I(AV)
@TA=25 and f 50Hz
Forw ard surge current @ t<1s and TJ=25
IFSM
Pow er dissipation
@ TA=25
Ptot
Thermal resistance junction to ambient
RθJA
Junction temperature
TJ
Storage temperature range
TSTG
1)Valid prov ided that leads at a distance of 8 mm f rom case are kept at ambient temperature.
BAV19
100
120
2501)
1.0
5001)
350
175
-55 --- +175
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Forw ard voltage @ IF=100mA
VF
MIN
-
TYP
-
Leakage current
at reverse voltage
@Tj=25
@Tj=100
-
IR
-
Capacitance @ VF=VR=0V f=1MHZ
Reverse recovery time
CJ
-
from IF=30mA to IR=30mA
from IRR=3mA, RL=100Ω.
trr -
1)Valid prov ided that leads at a distance of 8 mm f rom case are kept at ambient temperature.
-
-
1.5
-
BAV20
150
200
BAV21
200
250
UNITS
V
V
mA
A
mW
K/W
MAX
1.0
100
15
-
50
UNITS
V
nA
µA
pF
ns
www.galaxycn.com
Document Number 0268008
BLGALAXY ELECTRICAL
1.





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