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G4PC30F 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 G4PC30F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 G4PC30F 자료 제공

부품번호 G4PC30F 기능
기능 IRG4PC30F
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


G4PC30F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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G4PC30F 데이터시트, 핀배열, 회로
PD 91459B
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC30F
Fast Speed IGBT
Features
Fast: Optimized for medium operating
www.DataSheet4U.com frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry standard TO-247AC package
C
G
E
n-channel
VCES = 600V
VCE(on) typ. = 1.59V
@VGE = 15V, IC = 17A
Benefits
Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available
IGBT's optimized for specified application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBT's
Absolute Maximum Ratings
VCES
IC @ TC = 25°C
IC @ TC = 100°C
ICM
ILM
VGE
EARV
PD @ TC = 25°C
PD @ TC = 100°C
TJ
TSTG
Parameter
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current Q
Clamped Inductive Load Current R
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy S
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
Thermal Resistance
RθJC
RθCS
RθJA
Wt
Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
www.irf.com
TO-247AC
Max.
600
31
17
120
120
± 20
10
100
42
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Units
V
A
V
mJ
W
°C
Typ.
–––
0.24
–––
6 (0.21)
Max.
1.2
–––
40
–––
Units
°C/W
g (oz)
1
1229//00




G4PC30F pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRG4PC30F
40
30
www.DataSheet4U.com
20
VGE = 15V
10
0
25 50 75 100 125 150
TC , C ase Tem perature (°C)
Fig. 4 - Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
2.5
VGE = 15V
80µs PULSE WIDTH
2.0
IC = 34A
IC = 17A
1.5
IC = 8.5A
1.0 A
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ, Junction Temperature (°C)
Fig. 5 - Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
10
1
D = 0 .50
0.2 0
0.1 0
0.1 0.0 5
0.02
0.01
0.01
0.00001
PD M
SIN G LE P ULSE
(THERMAL RESPONSE)
N otes :
1. Duty factor D = t1 / t 2
t1
t2
2. Peak TJ = PD M x Z thJC + T C
0.0001
0.00 1
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse D ura tion (sec)
1
10
Fig. 6 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
4 www.irf.com

4페이지










G4PC30F 전자부품, 판매, 대치품
IRG4PC30F
www.DataSheet4U.com
50V
1000V
Q
L
VC *
D.U.T.
R
* Driver s am e ty pe as D .U .T.; Vc = 80% of V ce (m ax )
* Note: Due to the 50V pow er supply, pulse width and inductor
w ill increase to obtain rated Id.
Fig. 13a - Clamped Inductive
Load Test Circuit
0 - 480V
480µF
960V
RL
=
4
X
480V
IC@25°C
Fig. 13b - Pulsed Collector
Current Test Circuit
IC
L
D river*
VC
D.U.T.
Fig. 14a - Switching Loss
Test Circuit
50V
1000V
Q
* Driver same type
as D.U.T., VC = 480V
RS
Q
R
S
VC
90%
IC 5% 10%
t d(on)
www.irf.com
10%
90%
td(o ff)
tr tf
E on Eoff
E ts = (Eo n +E off )
t=5µs
Fig. 14b - Switching Loss
Waveforms
7

7페이지


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