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부품번호 | IPU12N03LBG 기능 |
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기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
Type
OptiMOS®2 Power-Transistor
Package
Marking
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• N-channel, logic level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
www.DataSheet4U.com
• Superior thermal resistance
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
IPD12N03LB G
IPU12N03LB G
IPS12N03LB G
IPF12N03LB G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
30 V
11.6 mΩ
30 A
Type
IPD12N03LB G
IPS12N03LB G
IPF12N03LB G
IPU12N03LB G
Package
Marking
PG-TO252-3-11
12N03LB
PG-TO251-3-11
12N03LB
PG-TO252-3-23
12N03LB
PG-TO251-3-1
12N03LB
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D T C=25 °C2)
T C=100 °C
Pulsed drain current
I D,pulse T C=25 °C3)
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=30 A, R GS=25 Ω
Reverse diode dv /dt
dv /dt
I D=30 A, V DS=20 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=175 °C
Gate source voltage4)
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Value
30
30
120
64
6
±20
52
-55 ... 175
55/175/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
Rev. 1.5
page 1
2006-05-15
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
IPD12N03LB G
IPU12N03LB G
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
IPS12N03LB G
IPF12N03LB G
60 40
50
www.DataSheet4U.com
40
30
30 20
20
10
10
0
0 50 100
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
1000
150
0
200 0 50 100 150
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
200
100
limited by on-state
resistance
DC
10
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
single pulse
0.01
1
0.1
Rev. 1.5
1 10
V DS [V]
100
0.001 0
10-6
0
10-5
0
10-4
0
10-3
t p [s]
0
10-2
0
10-1
1
100
page 4
2006-05-15
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: Tj(start)
100
www.DataSheet4U.com
10
150 °C
100 °C
25 °C
IPD12N03LB G
IPU12N03LB G
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=15 A pulsed
parameter: V DD
12
IPS12N03LB G
IPF12N03LB G
15 V
10
6V
24 V
8
6
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0
5 10
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
15
20
Rev. 1.5
38
V GS
36
34
32
30
28
V g s(th)
26
24
22
20
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
Q g(th)
Q gs
page 7
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2006-05-15
7페이지 | |||
구 성 | 총 12 페이지수 | ||
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