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부품번호 | WT-3402 기능 |
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기능 | Surface Mount N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | Weitron Technology | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
Surface Mount N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
3 DRAIN
Features:
www.Data*SShuepete4Ur.hcoimgh dense cell design for low RDS(ON)
RDS(ON) <30 mΩ @VGS =10V
RDS(ON) <42 mΩ@VGS =4.5V
*Rugged and Reliable
*SOT-23 Package
1
GATE
2
SOURCE
WT-3402
DRAIN CURRENT
4.6 AMPERES
DRAIN SOURCE VOLTAGE
30 VOLTAGE
3
1
2
SOT-23
Maximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified)
Rating
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (TJ =125 C)(1)
Pulsed Drain Current (2)
Drain-Source Diode Forward Current (1)
Power Dissipation (1)
Maximax Junction-to-Ambient
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
IS
PD
R θJA
Value
30
-+20
4.6
16
1.25
1.25
100
Operating Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
-55 to 150
Device Marking
WT3402=T02
Unite
V
V
A
A
A
W
C/W
C
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
WT-3402
WE ITR ON
24
20
16
12
www.DataSheet4U.com8
4
VDS =5V
0
0 5 10 15 20 25
IDS ,DRAIN-SOURCE CURRENT(A)
FIG.7 Transconductance Variation
with Drain Current
10
VDS =15V
8 ID =4.6A
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Qg ,TOTAL GATE CHARGE(nC)
FIG.9 Gate Charge
V DD
V IN R L
D VOUT
VG S
RGEN G
S
20
10
TJ =25 C
1
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE(V)
FIG.8 Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
50
10 R DS(ON) Limit
11
100m1s0ms
1s
DC
0.1 VGS=10V
Single Pulse
0.03 TC=25 C
0.1
1
10 20 50
VDS ,DRAIN-SOURCE CURRENT(V)
FIG.10 Maximum Safe Operating Area
td(on)
VOUT
ton
tr
td(off)
90%
10% INVE R TE D
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
90%
50% 50%
PULS E WIDTH
FIG.11 Switching Test Circuit
FIG.12 Switching Waveforms
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
WT-3401 | Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Weitron Technology |
WT-3402 | Surface Mount N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Weitron Technology |
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