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WT-3402 데이터시트 PDF




Weitron Technology에서 제조한 전자 부품 WT-3402은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 WT-3402 자료 제공

부품번호 WT-3402 기능
기능 Surface Mount N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 Weitron Technology
로고 Weitron Technology 로고


WT-3402 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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WT-3402 데이터시트, 핀배열, 회로
Surface Mount N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
3 DRAIN
Features:
www.Data*SShuepete4Ur.hcoimgh dense cell design for low RDS(ON)
RDS(ON) <30 m@VGS =10V
RDS(ON) <42 m@VGS =4.5V
*Rugged and Reliable
*SOT-23 Package
1
GATE
2
SOURCE
WT-3402
DRAIN CURRENT
4.6 AMPERES
DRAIN SOURCE VOLTAGE
30 VOLTAGE
3
1
2
SOT-23
Maximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified)
Rating
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (TJ =125 C)(1)
Pulsed Drain Current (2)
Drain-Source Diode Forward Current (1)
Power Dissipation (1)
Maximax Junction-to-Ambient
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
IS
PD
R θJA
Value
30
-+20
4.6
16
1.25
1.25
100
Operating Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
-55 to 150
Device Marking
WT3402=T02
Unite
V
V
A
A
A
W
C/W
C
WEITRON
http://www.weitron.com.tw




WT-3402 pdf, 반도체, 판매, 대치품
WT-3402
WE ITR ON
24
20
16
12
www.DataSheet4U.com8
4
VDS =5V
0
0 5 10 15 20 25
IDS ,DRAIN-SOURCE CURRENT(A)
FIG.7 Transconductance Variation
with Drain Current
10
VDS =15V
8 ID =4.6A
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Qg ,TOTAL GATE CHARGE(nC)
FIG.9 Gate Charge
V DD
V IN R L
D VOUT
VG S
RGEN G
S
20
10
TJ =25 C
1
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE(V)
FIG.8 Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
50
10 R DS(ON) Limit
11
100m1s0ms
1s
DC
0.1 VGS=10V
Single Pulse
0.03 TC=25 C
0.1
1
10 20 50
VDS ,DRAIN-SOURCE CURRENT(V)
FIG.10 Maximum Safe Operating Area
td(on)
VOUT
ton
tr
td(off)
90%
10% INVE R TE D
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
90%
50% 50%
PULS E WIDTH
FIG.11 Switching Test Circuit
FIG.12 Switching Waveforms
WEITRON
http://www.weitron.com.tw

4페이지












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