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EM640FP16 데이터시트 PDF




Emerging Memory & Logic Solutions에서 제조한 전자 부품 EM640FP16은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EM640FP16 자료 제공

부품번호 EM640FP16 기능
기능 256K x16 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
제조업체 Emerging Memory & Logic Solutions
로고 Emerging Memory & Logic Solutions 로고


EM640FP16 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 11 페이지수

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EM640FP16 데이터시트, 핀배열, 회로
Document Title
256K x16 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
Revision History
Revision No.
0.0
www.DataSheet4U.com
0.1
History
Initial Draft
2’nd Draft
0.2 3’rd Draft
0.3 4’th Draft
0.4 5’th Draft
Changed Icc, Icc1 value
Changed ISB1 test conditions,
Changed VDR & IDR
measurement condition
Add Pb-free part number
EM640FP16:
Changed Icc2 value
Changed Package Dimension
EM640FP16 Series
Low Power, 256Kx16 SRAM
Draft Date
October 24 , 2002
November 11 , 2002
December 23 , 2002
Remark
Preliminary
February 13 , 2004
April 11 , 2006
Emerging Memory & Logic Solutions Inc.
IT Venture Tower Eastside 11F, 78, Karac-Dong, Songpa-Ku, Seoul, Rep.of Korea Zip Code : 138-160
Tel : +82-2-2142-1759~1766 Fax : +82-2-2142-1769 / Homepage : www.emlsi.com
The attached datasheets are provided by EMLSI reserve the right to change the specifications and products. EMLSI will answer to your
questions about device. If you have any questions, please contact the EMLSI office.
1




EM640FP16 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS 1)
Parameter
Supply voltage
Ground
Input high voltage
Input low voltage
www.DataSheet4U.com
Symbol
VCC
VSS
VIH
VIL
Min
1.65
0
1.4
-0.33)
1. TA= -40 to 85oC, otherwise specified
2. Overshoot: VCC +1.0 V in case of pulse width < 20ns
3. Undershoot: -1.0 V in case of pulse width < 20ns
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
EM640FP16 Series
Low Power, 256Kx16 SRAM
Typ
Max
Unit
1.8 2.2 V
0 0V
-
VCC + 0.32)
V
- 0.4 V
CAPACITANCE1) (f =1MHz, TA=25oC)
Item
Input capacitance
Input/Ouput capacitance
Symbol
CIN
CIO
1. Capacitance is sampled, not 100% tested
Test Condition
Min Max Unit
VIN=0V
- 8 pF
VIO=0V
- 10 pF
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Operating power supply
Average operating current
Output low voltage
Output high voltage
Standby Current (CMOS)
Symbol
Test Conditions
ILI VIN=VSS to VCC
ILO
CS1=VIH, CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL or LB=UB=VIH
VIO=VSS to VCC
ICC IIO=0mA, CS1=VIL, CS2=WE=VIH, VIN=VIH or VIL
ICC1
Cycle time=1µs, 100% duty, ILO=0mA,
CS1<0.2V, LB<0.2V or/and UB<0.2V, CS2>VCC-0.2V
VIN<0.2V or VIN>VCC-0.2V
ICC2
Cycle time = Min, IIO=0mA, 100% duty,
CS1=VIL, CS2=VIH , LB=VIL or/and UB=VIL
VIN=VIL or VIH
VOL
IOL = 0.1mA
VOH
IOH = -0.1mA
ISB1
CS1>VCC-0.2V, CS2>VCC-0.2V (CS1 controlled)
or 0V<CS2<0.2V (CS2 controlled),
Other inputs = 0 ~ VCC
(Typ. condition : VCC=1.8V @ 25oC)
(Max. condition : VCC=2.2V @ 85oC)
LL
LF
Min Typ Max
-1 - 1
Unit
uA
-1 - 1 uA
- - 2 mA
- - 2 mA
- - 15 mA
- - 0.2 V
1.4 - - V
- 1 5 uA
4

4페이지










EM640FP16 전자부품, 판매, 대치품
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE CONTROLLED)
Address
tWC
CS1
tCW(2)
EM640FP16 Series
Low Power, 256Kx16 SRAM
tWR(4)
www.DataSheet4U.com CS2
UB,LB
WE
Data in
Data out
tAW
tBW
tWP(1)
tAS(3)
High-Z
tWHZ
Data Undefined
tDW tDH
Data Valid
High-Z
tOW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 CONTROLLED)
tWC
Address
CS1
tAS(3)
tCW(2)
tWR(4)
CS2
UB,LB
WE
Data in
tAW
tBW
tWP(1)
tDW tDH
Data Valid
Data out
High-Z
High-Z
7

7페이지


구       성 총 11 페이지수
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