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부품번호 | S0402BH 기능 |
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기능 | Sensitive Gate SCR | ||
제조업체 | ST Microelectronics | ||
로고 | |||
® S0402xH
SENSITIVE GATE SCR
FEATURES
www.DataSheet4U.coITm(RMS) = 4A
VDRM = 200V to 800V
Low IGT < 200 µA
DESCRIPTION
The S0402xH series of SCRs uses a high
performance MESA GLASS PNPN technology.
These parts are intended for general purpose
applications where low gate sensitivity is required.
K
A
G
TO220
non-insulated
(Plastic)
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)
Symbol
IT(RM S)
IT( AV)
ITSM
I2t
dI/dt
Tstg
Tj
Tl
Parameter
RMS on-state current
(180° conduction angle)
Tc= 110°C
Mean on-state current
(180° conduction angle)
Tc= 110°C
Non repetitive surge peak on-state current
(Tj initial = 25°C )
I2t Value for fusing
tp = 8.3 ms
tp = 10 ms
tp = 10 ms
Critical rate of rise of on-state current
IG = 10 mA diG /dt = 0.1 A/µs.
Storage and operating junction temperature range
Maximum lead temperature for soldering during 10s at
4.5mm from case
Value
4
2.5
55
50
12.5
100
- 40, + 150
- 40, + 125
260
Unit
A
A
A
A2s
A/µs
°C
°C
Symbol
Parameter
VDRM
VRRM
Repetitive peak off-state voltage
Tj = 125°C RGK = 1KΩ
Voltage
Unit
B DMN
200 400 600 800 V
January 1995
1/5
S0402xH
Fig.7 : Non repetitive surge peak on-state current
for a sinusoidal pulse with width : tp ≤ 10ms, and
corresponding value of I2t.
Fig.8 : On-state characteristics (maximum values).
I TSM (A). I2 t (A2s)
1000
100
www.DataSheet4U.com
10
I TS M
I2 t
1
1
Tj initial = 25oC
I TM (A)
100
Tj initial
25oC
tp(ms)
10
Tj max
10
Tj max
Vto =0.93 V
Rt =0.072
VTM(V)
1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
4/5
®
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S0402BH | Sensitive Gate SCR | ST Microelectronics |
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