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TTS3816B4E 데이터시트 PDF




TwinMOS에서 제조한 전자 부품 TTS3816B4E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TTS3816B4E 자료 제공

부품번호 TTS3816B4E 기능
기능 2M x 16Bit x 4 Banks synchronous DRAM
제조업체 TwinMOS
로고 TwinMOS 로고


TTS3816B4E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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TTS3816B4E 데이터시트, 핀배열, 회로
M.tec
2M x 16Bit x 4 Banks synchronous DRAM
TTS3816B4E
GENERAL DESCRIPTION
The TTS3816B4E is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 8 x 1,048,576 words by 16 bits,
fabricated with M’tec high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of
system clock I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst length and
www.DataShpereot4gUra.cmommable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system
applications.
FEATURES
JEDEC standard 3.3V power supply
• LVTTL compatible with multiplexed address
• Four-banks operation
• MRS cycle with address key programs
-. CAS latency (2 & 3)
-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)
-. Burst type (Sequential & Interleave)
All inputs are sampled at the positive going edge of the system clock.
• Burst read single-bit write operation
• DQM for masking
• Auto & self refresh
• 64ms refresh period (4K cycle)
ORDERING INFORMATION
Part No.
TTS3816B4E-7
TTS3816B4E-6
TTS3816B4E-6A
TTS3816B4E-6B
TTS3816B4E-6C
TTS3816B4E-6D
TTS3816B4E-6E
Max Freq.
100MHz 2-2-2
133MHz 3-3-3
100MHz 2-3-3
133MHz 2-3-2
133MHz 2-2-2
150MHz 3-3-3
166MHz 3-3-3
Interface
Package
LVTTL
54
TSOP(II)
Revision_1.1
1 TwinMOS Technologies Inc. Sep. 2000




TTS3816B4E pdf, 반도체, 판매, 대치품
M.tec
BLOCK DIAGRAM
TTS3816B4E
www.DataSheet4U.com
Bank Select
Data Input
ADD
Address
Buffer
/CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CLK
CKE
Commend
Decoder
&
Clock
Buffer
Row Decoder
&
Refresh Counter
Column Buffer
Programming
Register
2MX16
2MX16
2MX16
2MX16
Column Decoder
Latency &
Burst Length
Output Buffer
DQ
Revision_1.1
4 TwinMOS Technologies Inc. Sep. 2000

4페이지










TTS3816B4E 전자부품, 판매, 대치품
M.tec
TTS3816B4E
AC CHARACTERISTICS AND OPERATING
(Vcc=3.3V±0.3V, Ta=0° to 70°C)
Parameter
-7 -6 -6A -6B -6C -6D -6E
Symbol
Unit
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
Row active to row active delay
tRRD
20 15 20 14 14 14 12 ns
/RAS to /RAS delay
tRCD
20 20 30 20 15 20 18 ns
Row pre-charge time
www.DataSheReto4wU.acocmtive time
tRP
tRAS
20 20 30 15 15 20 18 ns
48 100K 45 100K 48 100K 45 100K 45 100K 45 100K 42 100K ns
Row cycle time
tRC 70 67.5 70 63 63 63 60 ns
Col. Address to col. Address delay tCCD
1 1 1 1 1 1 1 CLK
Write Recovery Time
tWR 20 15 20 14 14 13 12 ns
CLK Cycle Time
CL=2 10 1000 10 1000 10 1000 7.5 1000 7.5 1000 -
-
tCK ns
CL=3 8 1000 7.5 1000 8 1000 7.5 1000 7.5 1000 6.5 1000 6 1000
CLK High Level width
tCH
3 2.5 3 2.5 2.5 2
2 ns
CLK Low Level width
tCL
3 2.5 3 2.5 2.5 2
2 ns
Access Time from CLK
CL=2
6
6
8 5.4 5.4 -
-
tAC ns
CL=3 6 5.4 6 5.4 5.4 5.4 5
Output Data Hold Time
tOH 3 2.7 3 2.7 2.7 2.5 2 ns
Data-in Set-up Time
tDS 2 1.5 2 1.5 1.5 1.5 1.5 ns
Data-in Hold Time
tDH 1 1 1 1 1 1 1 ns
Address Set-up Time
tAS 2 1.5 2 1.5 1.5 1.5 1.5 ns
Address Hold Time
tAH 1 1 1 1 1 1 1 ns
CKE Set-up Time
tCKS 2 1.5 2 1.5 1.5 1.5 1.5 ns
CKE Hold Time
tCKH
1 1 1 1 1 1 1 ns
Command Set-up Time
tCMS
2 1.5 2 1.5 1.5 1.5 1.5 ns
Command Hold Time
tCMH
1 1 1 1 1 1 1 ns
Refresh Time
tREF 64 64 64 64 64 64 64 ms
Mode register Set Cycle Time
tRSC
20 15 20 14 14 12 12 ns
Revision_1.1
7 TwinMOS Technologies Inc. Sep. 2000

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