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FDZ7296 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDZ7296은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDZ7296 자료 제공

부품번호 FDZ7296 기능
기능 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDZ7296 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDZ7296 데이터시트, 핀배열, 회로
November 2004
FDZ7296
30V N-Channel PowerTrench® BGA MOSFET
General Description
Combining Fairchild’s advanced PowerTrench process
with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ7296
www.DataSheet4U.com
minimizes
MOSFET
both PCB
embodies
space and RDS(ON).
a breakthrough in
This BGA
packaging
technology which enables the device to combine
excellent thermal transfer characteristics, high current
handling capability, ultra-low profile packaging, low gate
charge, and low RDS(ON).
Applications
High-side Mosfet in DC-DC converters for Server
and Notebook applications
Features
11 A, 30 V.
RDS(ON) = 8.5 m@ VGS = 10 V
RDS(ON) = 12 m@ VGS = 4.5 V
Occupies only 0.10 cm2 of PCB area:
1/3 the area of SO-8.
Ultra-thin package: less than 0.80 mm height
when mounted to PCB.
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
Optimized for low Qg and Qgd to enable fast
switching and reduce CdV/dt gate coupling
D DD
S SS
S SS
Pin 1
Pin 1
S SS
GSS
DD D
Top
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
PD
TJ, TSTG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
(Note 1a)
– Pulsed
Power Dissipation (Steady State)
(Note 1a)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJB Thermal Resistance, Junction-to-Ball
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
7296
FDZ7296
7’’
D
G
S
Ratings
30
±20
11
20
2.1
–55 to +150
60
6.3
0.6
Tape width
8mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
Quantity
3000 units
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ7296 Rev B (W)




FDZ7296 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
20
VGS = 10.0V
6.0V
15
10
3.5V
4.0V
4.5V
3.0V
www.DataSheet4U.com
5
2.5V
0
0 0.5 1 1.5
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
4
VGS = 3.0V
3
2 3.5V
4.0V
4.5V
6.0V
1 10.0V
0
0 5 10 15 20
ID, DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
ID = 11A
VGS = 10V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
0.025
0.02
ID =5.5 A
0.015
0.01
TA = 25oC
TA = 125oC
0.005
2
468
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
20
VDS = 5V
15
10
5
TA = 125oC
25oC
-55oC
100
VGS = 0V
10
1 TA = 125oC
0.1
0.01
0.001
25oC
-55oC
0
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDZ7296 Rev B(W)

4페이지












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