Datasheet.kr   

NE461M02 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 NE461M02은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 NE461M02 자료 제공

부품번호 NE461M02 기능
기능 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


NE461M02 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

NE461M02 데이터시트, 핀배열, 회로
NPN EPITAXIAL SILICON
TRANSISTOR HIGH FREQUENCY NE461M02
LOW DISTORTION AMPLIFIER
FEATURES
• HIGH COLLECTOR CURRENT:
250 mA MAX
• NEW HIGH GAIN POWER MINI-MOLD PACKAGE
(SOT-89 TYPE)
• HIGH OUTPUT POWER AT 1 dB COMPRESSION:
www.DataSheet42U7.cdoBmm TYP at 1 GHz
• HIGH IP3:
37 dBm TYP at 1 GHz
DESCRIPTION
The NE461M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor
designed for medium power applications requiring high dy-
namic range and low intermodulation distortion. This device
offers excellent performance and reliability at low cost through
NEC's titanium, platinum, gold metallization system and direct
nitride passivation of the surface of the chip. The NE461M02
is an excellent choice for low noise amplifiers in the VHF to UHF
band and is suitable for CATV and other telecommunication
applications.
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)
PACKAGE OUTLINE M02
BOTTOM VIEW
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
C
EB E
0.42
±0.06
0.42
±0.06
1.5 0.45
±0.06
3.0
PIN CONNECTIONS
E: Emitter
C: Collector
B: Base
0.25±0.02
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
PART NUMBER
EIAJ1 REGISTERED NUMBER
PACKAGE OUTLINE
SYMBOLS
PARAMETERS AND CONDITIONS
UNITS
ICBO
IEBO
hFE2
|S21E|2
NF1
NF2
IM2
IM3
Collector Cutoff Current at VCB = 20 V, IE = 0
Emitter Cutoff Current at VEB = 2 V, IC = 0
DC Current Gain at VCE = 10 V, IC = 50 mA
Insertion Power Gain at VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz
Noise Figure 1 at VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 500 MHz3
Noise Figure 2 at VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz3
2nd Order Intermodulation Distortion
VCE = 10 V, IC = 50 mA, Rs = RL = 75
Pin = 105 dB µV/75 , f1 = 190 MHz
f2 = 90 MHz, f = f1 - f2
3rd Order Intermodulation Distortion
VCE = 10 V, IC = 50 mA, Rs = RL = 75
Pin = 105 dB µV/75 , f1 = 190 MHz
f2 = 200 MHz, f = 2 x f1 - f2
µA
µA
dB
dB
dB
dB
dB
Notes:
1. Electronic Industrial Association of Japan.
2. Pulsed measurement, pulse width 350 µs, duty cycle 2 %.
3. Rs = RL = 50 , tuned.
NE461M02
2SC5337
M02
MIN TYP MAX
0.01 5.0
0.03 5.0
40 120 200
7.0 8.3
1.5 3.5
2.0 3.5
59.0
82.0
California Eastern Laboratories




NE461M02 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NE461M02
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (TA = 25°C)
j50
j25 j100
j10
S11
S22 3 GHz
0 3 GHz
0
-j10
www.DataSheet4U.com
S11 S22
0.1 GHz 0.1 GHz
-j25
-j50
-j100
120˚
90˚
S21
150˚ 0.1 GHz
60˚
30˚
S21
180˚ 3 GHz
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
VCE = 10 V, IC = 50 mA
-150˚
S12
0.1 GHz
-120˚
-90˚
S12
3 GHz
-30˚
-60˚
NE461M02
VCE = 5 V, IC = 50 mA
FREQUENCY
S11
GHz
MAG
ANG
0.100
0.200
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
1.600
1.800
2.000
2.200
2.400
2.600
2.800
3.000
0.603
0.615
0.618
0.616
0.612
0.607
0.602
0.596
0.588
0.581
0.572
0.563
0.553
0.544
0.535
0.527
-142.0
-165.0
178.5
168.9
161.2
154.4
148.0
142.0
136.2
130.6
125.0
119.6
114.0
108.4
102.7
97.0
S21
MAG
ANG
22.351
11.847
6.043
4.072
3.089
2.506
2.123
1.858
1.661
1.514
1.397
1.307
1.232
1.169
1.118
1.074
109.2
95.2
83.2
75.1
68.2
61.8
55.8
50.2
44.9
39.8
35.1
30.3
25.9
21.6
17.5
13.4
S12
MAG
0.031
0.042
0.066
0.092
0.119
0.146
0.172
0.198
0.224
0.250
0.275
0.300
0.325
0.349
0.373
0.396
ANG
47.3
52.4
60.8
63.4
63.4
62.2
60.4
58.2
55.9
53.3
50.6
47.8
44.9
41.9
38.8
35.6
S22
MAG
ANG
0.456
0.345
0.309
0.307
0.310
0.315
0.321
0.328
0.335
0.341
0.347
0.353
0.359
0.363
0.369
0.373
-100.7
-129.0
-147.0
-152.1
-153.5
-153.6
-153.3
-152.8
-152.2
-151.7
-151.5
-151.4
-151.4
-151.8
-152.4
-153.3
K MAG1
(dB)
0.50 28.6
0.77 24.5
0.97 19.6
1.04 15.3
1.06 12.7
1.07 10.8
1.07 9.3
1.06 8.2
1.06 7.3
1.05 6.5
1.04 5.9
1.03 5.4
1.02 5.0
1.01 4.6
1.00 4.5
1.00 4.3
VCE = 10 V, IC = 50 mA
FREQUENCY
S11
GHz
MAG
ANG
0.100
0.200
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
1.600
1.800
2.000
2.200
2.400
2.600
2.800
3.000
0.599
0.602
0.601
0.599
0.596
0.591
0.586
0.581
0.573
0.566
0.557
0.549
0.540
0.531
0.523
0.515
-137.2
-162.2
179.8
169.8
161.9
155.0
148.5
142.4
136.6
131.0
125.5
120.1
114.5
108.9
103.2
97.5
S21
MAG
ANG
23.210
12.353
6.307
4.248
3.220
2.609
2.208
1.929
1.722
1.568
1.444
1.349
1.269
1.202
1.148
1.101
109.9
95.7
83.5
75.4
68.4
62.1
56.1
50.5
45.2
40.1
35.3
30.5
26.1
21.8
17.6
13.5
S12
MAG
0.031
0.042
0.066
0.091
0.117
0.144
0.169
0.195
0.220
0.245
0.270
0.295
0.319
0.342
0.366
0.388
ANG
48.0
51.4
60.0
62.8
63.0
61.9
60.2
58.1
55.8
53.3
50.7
48.0
45.1
42.2
39.1
36.0
S22
MAG
ANG
0.455
0.335
0.295
0.292
0.295
0.301
0.309
0.317
0.325
0.333
0.340
0.347
0.354
0.360
0.366
0.372
-97.0
-125.3
-143.9
-149.2
-150.6
-150.7
-150.3
-149.7
-149.1
-148.6
-148.3
-148.2
-148.2
-148.6
-149.2
-150.1
K MAG1
(dB)
0.48 28.7
0.75 24.7
0.97 19.8
1.03 15.6
1.06 12.9
1.07 11.0
1.07 9.6
1.06 8.4
1.06 7.5
1.05 6.7
1.04 6.1
1.03 5.6
1.02 5.2
1.01 4.8
1.00 4.8
0.99 4.5
Note:
1. Gain Calculations:
( ).MAG = |S21| K ± K 2 - 1 When K 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG = |S21| , K = 1 + | | 2 - |S11| 2 - |S22| 2 , = S11 S22 - S21 S12
|S12|
|S12|
2 |S12 S21|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ NE461M02.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
NE461M02

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

NEC
NEC

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵