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T835-600B 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 T835-600B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 T835-600B 자료 제공

부품번호 T835-600B 기능
기능 (T835-xxxB) HIGH PERFORMANCE TRIACS
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


T835-600B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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T835-600B 데이터시트, 핀배열, 회로
T810-xxxB
® T835-xxxB
FEATURES
ITRMS = 8 A
SENSITIVE GATE : IGT 10mA and 35mA
www.DataSheet4UH.coIGmH COMMUTATION TECHNOLOGY
HIGH ITSM CAPABILITY
HIGH PERFORMANCE TRIACS
A2
DESCRIPTION
The T810-xxxB and T835-xxxB series are using
high performance TOPGLASS PNPN technology.
These devices are intented for AC control applica-
tions, using surface mount technology where high
commutating and surge performances are re-
quired (like power tools, Solid State Relay).
A2 G
A1
DPAK
(Plastic)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
IT(RMS)
ITSM
I2t
dI/dt
Tstg
Tj
T
Parameter
RMS on-state current
(360° conduction angle)
Non repetitive surge peak on-state current
( Tj initial = 25°C )
I2t value for fusing
Critical rate of rise of on-state current
IG = 50mA diG/dt = 0.1A/µs
Tc =110 °C
tp = 8.3 ms
tp = 10 ms
tp = 10 ms
Repetitive
F = 50 Hz
Non
Repetitive
Storage temperature range
Operating junction temperature range
Maximum temperature for soldering during 10 s
Value
8
85
80
32
20
100
- 40 to + 150
- 40 to + 125
260
Unit
A
A
A2s
A/µs
°C
°C
°C
Symbol
Parameter
VDRM
VRRM
Repetitive peak off-state voltage
Tj = 125 °C
T810-/T835-
400B
400
600B
600
Unit
V
May 1998 Ed : 1A
1/5




T835-600B pdf, 반도체, 판매, 대치품
T810-xxxB / T835-xxxB
Fig 6: Non repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
ITSM(A)
80
70
60
50
40
www.DataSheet4U.3c0om
20
10
0
1
Tj initial=25°C
F=50Hz
Number of cycles
10 100
1000
Fig 7: Non repetitive surge peak on-state current
for a sinusoidal pulse with width tp<10ms, and cor-
responding value of I2t.
ITSM(A),I²t(A²s)
500
100
ITSM
Tj initial=25°C
I²t
tp(ms)
10
12
5 10
Fig 8: On-state characteristics (maximum values).
ITM(A)
100.0
Tj=Tj max.
10.0
Tj max.:
Vto=0.8V
Rt=60m
Tj=25°C
1.0
VTM(V)
0.1
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Fig 9: Thermal resistance junction to ambient ver-
sus copper surface under tab (Epoxy printed circuit
board FR4, copper thickness: 35µm).
Rth(j-a) (°C/W)
100
80
60
40
20
S(Cu) (cm²)
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
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